韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片,可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數據,相比上一代速度提高了78%。
HBM3 DRAM內存芯片將搭載高性能數據中心可以與 CPU、GPU 核心相鄰封裝在一起,可以顯著提高人工智能、機器學習運算的性能,并且也提升了專用計算加速卡單片容量以及帶寬的性能。
SK海力士的首款HBM3將會以16GB和24GB兩種容量上市。早在去年,SK海力士就已經首次實現批量生產HBM2E DRAM,可以提高人工智能完成度的機器學習和分析氣候變化工作。
SK 海力士成功開發業內首款 HBM3 DRAM鞏固了自身在高端內存市場的領導地位,滿足客戶們的日常發展需求。
本文綜合整理自IT之家 智通財經網 cnbeta
責任編輯:pj
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
459文章
51925瀏覽量
433523 -
人工智能
+關注
關注
1804文章
48447瀏覽量
244842 -
機器學習
+關注
關注
66文章
8481瀏覽量
133834 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
985瀏覽量
39164 -
HBM3
+關注
關注
0文章
74瀏覽量
267
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士增產HBM DRAM,應對AI芯片市場旺盛需求
SK海力士今年計劃大幅提升其高帶寬內存(HBM)的DRAM產能,目標是將每月產能從去年的10萬片增加至17萬片,這
SK海力士展出全球首款16層HBM3E芯片
在近日舉行的SK AI峰會上,韓國存儲巨頭SK海力士向全球展示了其創新成果——全球首款48GB 16層HBM3E產品。這
SK海力士推出48GB 16層HBM3E產品
和卓越的研發能力,已經提前開發出48GB 16層HBM3E產品。這一舉措不僅展現了SK海力士的技術實力,更凸顯了其對市場趨
SK海力士引領未來:全球首發12層HBM3E芯片,重塑AI存儲技術格局
今日,半導體巨頭SK海力士震撼宣布了一項業界矚目的技術里程碑,該公司已成功在全球范圍內率先實現12層HB
SK海力士9月底將量產12層HBM3E高性能內存
自豪地宣布,SK 海力士當前市場上的旗艦產品——8層HBM3E,已穩坐行業領導地位,而更進一步的是,公司即將在本月底邁入一個新的里程碑,正式
SK海力士M16晶圓廠擴產,DRAM產能將增18%
SK 海力士,作為全球知名的半導體巨頭,近期宣布了一項重要的擴產計劃,旨在通過擴大M16晶圓廠的生產規模,顯著提升其DRAM內存產能。據韓媒
TLB成功開發出CXL內存模塊PCB,并向三星和SK海力士提供首批樣品
近日,韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發出CXL內存模塊PCB,并已獨家向三星電子和SK海力士提供了6
SK海力士提前完成HBM4內存量產計劃至2025年
SK海力士宣布,計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產品,而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據該公司上月與臺積電簽
評論