根據(jù)Yole的預(yù)測,到2024年,碳化硅功率半導(dǎo)體市場規(guī)模將增長至20億美元,2018-2024年期間的復(fù)合年增長率將高達29%。其中,汽車市場無疑是最重要的驅(qū)動因素,預(yù)計2024年,碳化硅功率半導(dǎo)體市場中的汽車市場份額將達到50%以上。
博世碳化硅產(chǎn)品于2019正式推向市場。產(chǎn)品包括SiC芯片裸片,主要應(yīng)用于電驅(qū)動的功率模塊;還包括SiC MOSFET分立器件,面向車載充電器OBC與DC-DC轉(zhuǎn)換模塊,分立器件有TO247-3/4、TO263-7(D2-PAK-7)兩種封裝方式。
博世SiC MOSFET 在OBC的應(yīng)用中可支持100KHz以上的開關(guān)頻率,功率輸出范圍3.3kW至22kW。
目前,電動汽車車載充電器電路一般采用AC/DC PFC和DC/DC 變換器相結(jié)合的結(jié)構(gòu)。交流電輸入后經(jīng)過二極管整流,通過功率因數(shù)校正(Power Factor Correction,PFC)電路得到直流母線電壓,最后通過DC/DC變換到滿足電池充電要求的輸出電壓與電流。本文將結(jié)合PFC電路的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),介紹在設(shè)計中使用博世SiC MOSFET的優(yōu)勢。
PFC的設(shè)計首先需要滿足很高的功率因數(shù)(PF),如果整個OBC的效率要達到96%要求,那么PFC的效率至少要在98%以上;其次需要最大限度地減少電流失真對電網(wǎng)的影響。
在傳統(tǒng)的BOOST 有橋PFC中,交流輸入電壓經(jīng)過全波整流,然后經(jīng)由電感L、開關(guān)管S和快速二極管D組成的BOOST電路,從而輸出恒定的直流電壓。通過對開關(guān)管S的SPWM調(diào)制,可以將電感L上的電流控制為正弦波,并跟蹤輸入電壓相位,從而實現(xiàn)功率因數(shù)的校正。不足的是,傳統(tǒng)BOOST 有橋PFC電路,工作在正負(fù)半周的主電流都經(jīng)過2個整流二極管,使得電路的通態(tài)損耗較高,約占輸入功率的1.5-2%。
為了提高效率,無橋PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的應(yīng)用越來越多:通過移除全波整流電路,來減少相關(guān)器件的損耗。雙BOOST無橋PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)如圖4所示,采用了兩套獨立的BOOST電路,主電流在正負(fù)半周只流過一個整流二極管D3或D4,減少了傳導(dǎo)損耗,提高了效率。但也由此帶來了器件數(shù)量多、電感利用率低的問題。
現(xiàn)階段比較流行的是采用圖騰柱BOOST無橋PFC的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)(見圖5)。通過表1的比較可以發(fā)現(xiàn),圖騰柱PFC移除了快恢復(fù)二極管,是BOOST 無橋PFC拓?fù)渲凶詈唵蔚模彩切首罡叩囊环N結(jié)構(gòu)。在此結(jié)構(gòu)中,由于兩個開關(guān)管的體二極管代替了傳統(tǒng)的PFC中的快恢復(fù)二極管,作為續(xù)流二極管。而一般的Si MOSFET以及超級結(jié)型MOSFET反向恢復(fù)特性都不太理想,其較高的反向恢復(fù)電荷Qrr會導(dǎo)致過大的恢復(fù)損耗。所以,不適合在電流連續(xù)模式(CCM)下使用,只適合工作在斷續(xù)模式(DCM)或者臨界模式(CRM),即中小功率的場合,限制了圖騰柱BOOST無橋PFC的應(yīng)用范圍。
目前,寬禁帶半導(dǎo)體(尤其是SiC MOSFET)的發(fā)展解決了體二極管反向恢復(fù)問題。如圖6所示,SiC MOSFET 與Si 以及超級結(jié)MOSFET相比具有更小的Qrr參數(shù),即反向恢復(fù)電流與恢復(fù)損耗小。博世推出的1200V和750V兩個電壓等級的SiC MOSFET系列產(chǎn)品(見表2),具備了良好的反向恢復(fù)特性。支持圖騰柱BOOST無橋PFC工作在連續(xù)模式下,滿足高效率的同時也為大功率OBC的設(shè)計提供了一種器件選擇。
表2 Bosch SiC MOSFET 產(chǎn)品系列
博世擁有超過50年的汽車半導(dǎo)體經(jīng)驗以及覆蓋全價值鏈的研發(fā)和供應(yīng)商體系,同時擁有汽車標(biāo)準(zhǔn)級的硅晶圓工廠和對于汽車客戶的快速響應(yīng)能力。博世涉足車規(guī)級碳化硅領(lǐng)域,將持續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新,不斷提升產(chǎn)品性能。未來,博世的碳化硅產(chǎn)品無疑會引領(lǐng)電動車和混合動力汽車的控制系統(tǒng),即功率電子器件的發(fā)展。
責(zé)任編輯:haq
-
電動汽車
+關(guān)注
關(guān)注
156文章
12389瀏覽量
234250 -
半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
335文章
28687瀏覽量
233926 -
SiC
+關(guān)注
關(guān)注
31文章
3180瀏覽量
64588
原文標(biāo)題:SiC MOSFET 在OBC-PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的應(yīng)用優(yōu)勢
文章出處:【微信號:AE_China_10,微信公眾號:博世汽車電子事業(yè)部】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
SiC MOSFET模塊并聯(lián)應(yīng)用中的動態(tài)均流問題

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計
SiC二極管和SiC MOSFET的優(yōu)勢
麥科信光隔離探頭在碳化硅(SiC)MOSFET動態(tài)測試中的應(yīng)用
國產(chǎn)碳化硅MOSFET在OBC+DCDC及壁掛小直流樁中的應(yīng)用
國產(chǎn)SiC MOSFET在T型三電平拓?fù)?/b>中的應(yīng)用分析

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用
SiC MOSFET的參數(shù)特性
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用
SiC MOSFET的性能優(yōu)勢

OBC的CLLC/CLLLC拓?fù)?/b>與DAB拓?fù)?/b>比較
SiC MOSFET在電動汽車中的應(yīng)用問題

SiC MOSFET和SiC SBD的區(qū)別
OBC DC/DC SiC MOSFET驅(qū)動選型及供電設(shè)計要點

評論