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二次側(cè)SR的軟啟動過程

電子設(shè)計 ? 來源:電子設(shè)計 ? 作者:電子設(shè)計 ? 2022-01-13 15:00 ? 次閱讀

LM5036是一款高度集成化的半橋PWM控制器,集成了輔助偏置電源,為電信,數(shù)據(jù)通信工業(yè)電源轉(zhuǎn)換器提供高功率密度解決方案。LM5036包含使用電壓模式控制實現(xiàn)半橋拓?fù)涔β兽D(zhuǎn)換器所需的所有功能。 該器件適用于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器的初級側(cè),輸入電壓高達100V。與傳統(tǒng)半橋及全橋控制器相比,LM5036有著自身不可替代的優(yōu)勢:

(1)集成輔助偏置電源,為LM5036及原邊和副邊元器件供電,無需外部輔助電源,減少電路板尺寸和成本,有助于實現(xiàn)高功率密度和良好的熱可靠性。

(2)增強的預(yù)偏置啟動性能可實現(xiàn)負(fù)載帶壓啟動時,輸出電壓的單調(diào)遞增并避免倒灌電流

(3)通過脈沖匹配改善了逐周期電流限制,從而在輸入電壓范圍內(nèi)產(chǎn)生均勻的輸出電流限制水平,并且還可以防止變壓器飽和。

預(yù)偏置啟動:

在沒有完全可控的預(yù)偏置啟動情況下,次級側(cè)的SR可能過早地閉合導(dǎo)通以從預(yù)充電的輸出電容器吸收電流,傳遞到輸入端,這樣導(dǎo)致電容電壓出現(xiàn)下降的情況,如果此過程導(dǎo)致的電壓降低過大,可能會導(dǎo)致重新啟動負(fù)載甚至損壞電源轉(zhuǎn)換器功率級部分。從圖一中就可以看出,在沒有預(yù)偏置調(diào)節(jié)的啟動過程中輸出電壓出現(xiàn)電壓跌落以及過沖的情況。

Without full regulated prebias start-up

而LM5036采用全新的完全穩(wěn)壓預(yù)偏置啟動方案,以確保輸出電壓的單調(diào)上升及避免反向電流。 這里的預(yù)偏置啟動過程主要包括兩個方面的軟啟:1)初級側(cè)MOSFET軟啟動; 2)二次側(cè)SR軟啟動。

原邊f(xié)ets的預(yù)偏置軟啟動:

如下圖中的系統(tǒng)上電順序圖所示,

1.輸入電壓VIN 會伴隨外部所加載電壓的上升而上升,一旦VIN> 15V且VCC/REF高于其UV閾值,F(xiàn)ly-buck產(chǎn)生的副邊輔助電源VAUX2就會啟動。這里VAUX2除了提供副邊的元器件供電以外,同時作為一個使能信號參與到欲偏執(zhí)啟動過程中。

2.當(dāng)UVLO超過1.25V且VCC / REF高于其UV閾值時,SS引腳上連接的軟啟動電容開始充電。 當(dāng)SS <2V時,VAUX2保持在“關(guān)閉狀態(tài)”。即VAUX2> 閾值電壓TH(根據(jù)設(shè)計設(shè)置),此時會激活使輸出電壓參考VREF放電的復(fù)位電路,從而鉗制VREF值到地。 這就確保了光耦合器產(chǎn)生0%占空比命令。 當(dāng)UVLO超過1.25 V且VCC和REF高于相應(yīng)的UV閾值時,軟啟動電容開始充電, SS引腳電壓開始上升。

3.當(dāng)SS> = 2V時,VAUX2電壓值進入“開通狀態(tài)”(VAUX2

4.當(dāng)VAUX2

5.當(dāng)VREF> Vo(預(yù)偏置電壓)時,Vcomp開始上升。

6.當(dāng)Vcomp> 1V(對應(yīng)0%占空比)時,初級FET的占空比開始增加(Vo上升)。 與此同時,同步整流SR軟啟動引腳SSSR電容開始充電。

二次側(cè)SR的軟啟動過程:

1.在SSSR> = 1V之前,LM5036工作在SR SYNC模式,如下圖標(biāo)號3的位置,此時SR與主FET保持完全同步,這樣主要作用是:1)有助于降低SR的傳導(dǎo)損耗; 2)避免出現(xiàn)反向電流的風(fēng)險。

2.隨著初級FET和SR脈沖寬度逐漸增加,此時Vo逐漸上升,這種逐步增加脈寬的方式有效防止由于體二極管和SR Rdson之間的電壓降的差異引起的輸出電壓干擾。

3.隨著SSSR電壓的上升,當(dāng)SSSR> 1V時,LM5036開始SR續(xù)流周期的軟啟動。

4.SR1和SR2在續(xù)流期間同時接通。

5.在SR續(xù)流周期結(jié)束時,在主時鐘的上升沿,SR與下一個功率傳輸周期主fet狀態(tài)相關(guān)。同相繼續(xù)保持開通,異相關(guān)斷。(如下圖所示,SR1與HSG屬于同相開通,在5號主clk上升沿處SR1保持開通狀態(tài),SR2由于是異相因此保持關(guān)斷狀態(tài),后半周期正好相反。)

6.在功率傳輸周期結(jié)束時,主FET和同相SR同時關(guān)閉。 在軟啟動結(jié)束后,SR脈沖將與相應(yīng)的主FET互補。

由于有二次側(cè)預(yù)偏置軟啟動的過程,可以有效控制次級側(cè)參考電壓斜坡上升,僅在參考電平VREF高于輸出電壓時激活SR。這樣就保證了在整個啟動過程不會出現(xiàn)SR吸收輸出電容能量的現(xiàn)象,自然也就不會出現(xiàn)電容電壓跌落的情況。如下圖所示,在整個軟啟過程中,輸出電壓保持單調(diào)平穩(wěn)上升,可有效確保系統(tǒng)內(nèi)數(shù)字電路以正確的順序開始工作。

LM5036 Based Design

請注意,在設(shè)計帶LM5036的DC/DC轉(zhuǎn)換器時,用戶無需考慮這種預(yù)偏置啟動程序,因為這是LM5036本身完全控制的功能。

審核編輯:何安

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