美國企業(yè)IBM正式推出2nm芯片,采用GAA環(huán)繞柵極晶體管技術(shù),使芯片體積更小,速度更快,性能大大提升。IBM 2nm芯片還首次使用了底部電介質(zhì)隔離技術(shù)和內(nèi)層空間干燥處理技術(shù)。
IBM 2nm芯片與7nm相比,性能提升45%,能耗下降75%,電池使用壽命提升至之前的四倍,最小單元甚至要比人類DNA單鏈還要小。在指甲蓋大小的芯片上可以容納500億顆晶體管,晶體管密度為333.33,是臺積電5nm的兩倍。
全球首款2nm芯片的問世,將對全球整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)和先進(jìn)制程工藝有著至關(guān)重要的意義,IBM 2nm芯片還處在實(shí)驗(yàn)室階段,距離真正投入量產(chǎn)還需花費(fèi)數(shù)年時(shí)間。
綜合整理自鎂客網(wǎng)、e企學(xué)平臺
審核編輯:湯梓紅
-
芯片
+關(guān)注
關(guān)注
459文章
52253瀏覽量
437095 -
IBM
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
1810瀏覽量
75520 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
9989瀏覽量
140838 -
2nm
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
209瀏覽量
4725
發(fā)布評論請先 登錄
臺積電2nm良率超 90%!蘋果等巨頭搶單
多值電場型電壓選擇晶體管結(jié)構(gòu)
手機(jī)芯片進(jìn)入2nm時(shí)代,首發(fā)不是蘋果?
臺積電分享 2nm 工藝深入細(xì)節(jié):功耗降低 35% 或性能提升15%!

IBM與Rapidus在多閾值電壓GAA晶體管技術(shù)的新突破
臺積電2nm芯片試產(chǎn)良率達(dá)60%以上,有望明年量產(chǎn)
晶體管與場效應(yīng)管的區(qū)別 晶體管的封裝類型及其特點(diǎn)
聯(lián)發(fā)科攜手臺積電、新思科技邁向2nm芯片時(shí)代
世芯電子成功流片2nm測試芯片
Rapidus計(jì)劃2027年量產(chǎn)2nm芯片
NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別
淺析高壓晶體管光耦

評論