電子發燒友網報道（文/梁浩斌）SiC在電動汽車電驅模塊上的應用，隨著市場對電動汽車長續航、高壓電氣架構、快充等需求，正在加速普及。

傳統硅基半導體由于自身物理性質受限 ，在高溫、高壓、高頻、高功率等領域上性能上限較低。而SiC的耐高壓能力是硅的10倍、耐高溫能力是硅的2倍、高頻能力是硅的2倍。與硅基模塊相比，碳化硅二極管及開關管組成的模塊（全碳模塊），不僅具有碳化硅材料本征特性優勢，在應用時還可以縮小模塊體積50%以上、消減電子轉換損耗80%以上。在系統設計中可以簡化散熱系統，降低熱預算，同時減小電容電感體積，從而降低系統綜合成本。

不過也不難發現，目前國內的SiC模塊，包括最近極氪威睿200kW電驅動總成的SiC模塊供應商芯聚能，包括比亞迪的SiC模塊，都采用海外大廠的SiC MOSFET，比如羅姆、ST、英飛凌等等。當然，自研SiC模塊，同樣不簡單，需要通過各種可靠性測試，器件集成化、高頻、高壓等SiC器件對功率模塊封裝形式和工藝都有很高的要求。

事實上國產SiC MOSFET產品也有不少，國內規模比較大的有華潤微、派恩杰、楊杰科技等都有SiC MOSFET產品，而更多的初創企業也在進入車規SiC MOSFET賽道。但問題在于，即使近幾年汽車缺芯現象不斷，SiC產能也明顯供不應求，車企也在尋找更多的國產替代的時候，國產SiC MOSFET依然幾乎未被用于電動汽車上。

這要從材料開始說起。SiC襯底和外延層由于制造工藝的問題，往往缺陷密度較大，特別是相比與硅而言。至于車規級的高要求，以往對于國內襯底以及外延等產品指標來說難以滿足要求的同時規?；?。這也是為什么說碳化硅行業得襯底者得天下，要滿足車規級要求，器件封裝設計固然重要，但相比之下襯底和外延材料方面的指標更加顯得關鍵。

目前國內獲得車企訂單的SiC MOSFET供應商并不多，以派恩杰為例，去年年底據消息人士透露獲得了國內新能源龍頭車企OBC應用的數千萬級別訂單，電驅應用的SiC MOSFET產品也早在去年2月已經發布，而其代工廠是德國X-FAB。據了解，派恩杰的SiC MOSFET綜合良率在80%-90%左右，隨著功率的增大良率也會隨之降低，這是由材料缺陷造成的。

同時，目前國產SiC MOSFET在可靠性和產能兩方面都是較為薄弱的。產能方面，需要國內SiC襯底、外延等材料廠商的支持，在降低材料缺陷密度的同時提高產量。而產量的關鍵，是長晶技術和SiC襯底尺寸，目前國內SiC襯底供應逐漸完成從4英寸到6英寸的升級，但國際上看，以Wolfspeed為首的SiC巨頭今年已經開始進入8英寸襯底量產節奏，國內差距至少在2-3年。

而可靠性方面，類似于國產車規MCU的發展路線，很多廠商從工規開始做起，逐漸過渡向車規，SiC MOSFET也一樣。有業內人士認為，國內SiC MOSFET的發展路線，需要結合國內產業鏈的優勢和特點，先做到工業級的品質，提高產能后再慢慢突破車規級可靠性等技術要求。

去年吉利與芯聚能合資成立了廣東芯粵能半導體，目標就是自產SiC功率器件，包括SBD、MOSFET等等。芯粵能SiC芯片項目總投資75億元，一期投資35億元，目標年產24萬片英寸SiC晶圓產線；二期建設年產24萬片8英寸SiC晶圓的產線。按照規劃，芯粵能SiC器件2024年可以實現量產上車。

另外更多的國內企業也推出了車規級的SiC MOSFET產品，比如清純半導體推出的車規級15V驅動SiC MOSFET，并在國內產線實現量產；芯塔電子也表示已經有車規級1200V SiC MOSFET送樣測試；基本半導體、派恩杰、愛仕特、瀚薪、瞻芯電子等都有相關產品已經推出。產品進入爆發期，按照汽車行業的驗證周期維度來算，我們可能會在1-2年后，就能看到國產SiC MOSFET大規模被應用在新能源汽車上。

原文標題：國產SiC MOSFET為什么遲遲還未上車？

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