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NP3415EMR 20V p通道增強模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-06 16:06 ? 次閱讀
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描述

NP3415EMR采用了先進的溝槽技術

提供優良的RDS(ON),低柵電荷和

工作電壓低至1.8V。這個設備

適合用作負載開關或PWM

應用程序。

一般特征

?VDS = -20v, id = -4a

RDS(上)(Typ) = 34米Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 44 mΩ@VGS = -2.5 v

?高功率和電流處理能力

?獲得無鉛產品

?表面安裝包

?ESD額定電壓:2500V HBM

應用程序

?PWM程序

?負荷開關

?SOT-23-3L

poYBAGLFQfOAExyDAABpUv11ZwU340.png

訂購信息

poYBAGLFQg6AIWbyAAA2p0q6ABA823.png

絕對最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLFQiaAYOQ_AACbw_NQeuI159.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLFQk-AEcuYAAIaSSiPHe4125.png

熱特性

pYYBAGLFQmeAIOltAABpDBQtomo701.png

A.將設備安裝在1in2fr -4板上,用2oz測量RθJA的值。銅,在靜止的空氣環境中與

TA = 25°C。在任何給定的應用程序中的值取決于用戶的特定板設計。

B.功率損耗PD是基于TJ(MAX)=150℃,采用≤10s的結環境熱阻。

C.重復額定值,脈寬受結溫TJ(MAX)=150°C限制。額定值是基于低頻率和職責

循環以保持initialTJ=25°C。

D. RθJA是從結到引線RθJL并引線到環境的熱阻抗之和。

審核編輯 黃昊宇

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