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NP50P02QR 20V p通道增強(qiáng)模式MOSFET

微雨問海棠 ? 來源:微雨問海棠 ? 作者:微雨問海棠 ? 2022-07-08 10:59 ? 次閱讀

描述

NP50P02QR采用了先進(jìn)的戰(zhàn)壕

技術(shù)和設(shè)計(jì),提供優(yōu)秀的RDS(ON)與

門費(fèi)用低。它可以用于各種各樣的

應(yīng)用程序。

一般特征

?VDS = -20v, id = -50a

RDS(上)(Typ) = 5.5Ω@VGS = -4.5 v

RDS(上)(Typ) = 6.5Ω@VGS = -2.5 v

?用于超低RDS(ON)的高密度電池設(shè)計(jì)

?充分描述雪崩電壓和電流

?穩(wěn)定性好,均勻性好,EAS高

?優(yōu)秀的包裝,良好的散熱

應(yīng)用程序

?負(fù)荷開關(guān)

?PDFN3 * 3-8L

poYBAGLHnMeAO2MzAABbnWdI39Y200.png

訂購信息

pYYBAGLHnN2ANybsAAA23OQ95N8289.png

絕對(duì)最大額定值(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLHnPCAYRYWAADFWW60wTI460.png

電特性(除非另有說明,TA=25℃)

pYYBAGLHnRaACUYhAAJt53xFcP4772.png

注:1:脈沖測試;脈沖寬度≦300ns,占空比≦2%。

2:設(shè)計(jì)保證,不經(jīng)生產(chǎn)檢驗(yàn)。

熱特性

pYYBAGLHnXuARi45AABG83sNjvQ964.png

審核編輯 黃昊宇

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