三星成為全球首家批量生產3納米芯片的廠家
最近，三星旗下華城工廠開始批量生產第一批采用3納米全環繞柵（GAA）工藝節點的芯片，成為全球第一家批量生產3納米芯片的半導體晶圓廠。
與前幾代使用finfet的芯片不同，第一代3nm工藝使用GAA晶體管技術，突破了finfet的性能限制，大大提高了性能和效率。
據三星官員介紹，新開發的第一代3納米工藝采用GAA晶體管技術，可以降低功耗45%，提高性能23%，減少面積16%。此外，三星首次將納米芯片晶體管應用于高性能和低功耗計算應用的半導體芯片，并計劃擴展到移動處理器。
綜合澎湃新聞和數字尾巴整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27790瀏覽量
223180 -
晶圓
+關注
關注
52文章
4990瀏覽量
128364 -
三星
+關注
關注
1文章
1618瀏覽量
31549
發布評論請先 登錄
相關推薦
英偉達、高通或轉單三星2納米工藝
近日，據SamMobile的最新消息，英偉達和高通兩大芯片巨頭正在考慮對其2納米工藝芯片的生產策略進行調整。具體來說，這兩家公司正在評估將部分原計劃在臺積電
現代汽車與三星電子洽談自動駕駛芯片制造合作
近日，據報道，現代汽車與三星電子正就合作制造自動駕駛汽車芯片進行深入談判。此次合作旨在利用三星電子先進的汽車半導體生產線，為現代汽車正在研發的自動駕駛
MES系統如何支持多品種小批量生產
??MES系統（制造執行系統）在多品種小批量生產環境中發揮著至關重要的作用。它通過一系列先進的技術手段，提高了生產線的靈活性和效率，從而有效地支持了多品種小批量生產。
三星電子發布為可穿戴設備設計的首款3納米工藝芯片
近日，三星電子震撼發布了其專為可穿戴設備設計的首款3納米工藝芯片——Exynos W1000，標志著該公司在微型芯片技術領域的又一重大突破。
英特爾3nm制程工藝“Intel 3”投入大批量生產
據外媒最新報道，全球知名的處理器大廠英特爾在周三宣布了一個重要的里程碑：其先進的3nm級制程工藝技術“Intel 3”已在兩個工廠正式投入大批量生產
三星量產第九代V-NAND閃存芯片，突破最高堆疊層數紀錄
三星公司預計將于今年四月份大批量生產目前行業內為止密度最大的290層第九代V-NAND （3D NAND） 閃存芯片，這是繼之前的236層第八代V-NAND后的顯著提升，也代表著當前行
SK海力士與三星將率先量產1c納米DRAM
在近期舉辦的行業盛會Memcon 2024上，三星公司透露了其宏偉的量產計劃，預計在今年年底前，他們將成功實現1c nm制程的批量生產。
三星Galaxy Watch7將搭載Exynos W940芯片，性能顯著提升
之前已有報道指明，Exynos W940芯片即基于全面升級的Exynos 5535（內部型號，非市場命名），預期將成為三星首次商業化應用的3納米
受困于良率？三星否認HBM芯片生產采用MR-MUF工藝
芯片生產中應用MR-MUF（批量回流模制底部填充）技術的傳言并不屬實。 ? 三星在HBM生產中目前主要采用非導電薄膜（NCF）技術，而非SK
三星的HBM3芯片生產良率約為10-20%！
3月13日消息，據外媒報道，三星電子將采用競爭對手 SK 海力士主導的 MR-MUF（批量回流模制底部填充）芯片封裝工藝，而非此前堅持使用的非導電薄膜（NCF）技術。
三星3納米良率不足60%
.件商.城了解，三星的3納米制程良率目前仍不足60%，這意味著在制造過程中存在較高的失敗率，可能導致生產成本上升，且難以保證產品質量。與此同時，其競爭對手臺積電在半導體制造領域仍保持著
三星顯示斥資打造全球首條8.6代IT OLED生產線
該生產線由三星顯示通過對原有L8生產線進行升級改造而來，是全球規模最大的OLED生產線。這也是三星
三星半導體將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”！
近期，科技巨頭三星半導體做出了一個引人注目的決策：將其“第二代3納米”工藝正式更名為“2納米”。
第一筆2納米訂單被三星搶到
的一次重要勝利，彰顯了三星電子在芯片制程領域的領先地位。 根據經濟日報和BusinessKorea的綜合報道，這項訂單將由三星采用最新的2納米制程技術
工商網監
評論