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替代硅的新型半導(dǎo)體材料

lPCU_elecfans ? 來源:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 作者:電子發(fā)燒友網(wǎng) ? 2022-07-29 09:26 ? 次閱讀

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在如今的半導(dǎo)體行業(yè)中,散熱幾乎可以說是除PPA(功耗、性能和面積)外最不能忽視一環(huán)。就拿移動SoC為例,芯片過熱降頻的問題影響著市面任何一款智能手機(jī)。但要想極大改善半導(dǎo)體本身的散熱性能,幾乎都得從材料上入手,這也就意味著我們必須推翻硅在數(shù)十年來建立的穩(wěn)固地位。而在最近的一期《科學(xué)》雜志中,同時(shí)出現(xiàn)了兩篇立方砷化硼的論文,描述了這種新式材料替代硅的可能性。

極佳的導(dǎo)熱性能正如開頭所說,熱量已經(jīng)成了半導(dǎo)體進(jìn)一步提高性能并在各種場景中投入使用的瓶頸,所以大家紛紛開始研制具有高導(dǎo)熱系數(shù)的半導(dǎo)體材料,也正因如此,導(dǎo)熱系數(shù)可達(dá)500W/mK的碳化硅才開始逐漸進(jìn)入汽車、航天市場,因?yàn)槠鋵?dǎo)熱系數(shù)是傳統(tǒng)硅材料的三倍以上。

早在2018年,研究人員發(fā)現(xiàn)這種砷化硼材料可能具備更高的導(dǎo)熱系數(shù),通過對體單晶砷化硼的測試,其局部室溫導(dǎo)熱系數(shù)最高可以超過1000W/mK,平均值大概在900W/mK左右。在后續(xù)的研究中,研究人員發(fā)現(xiàn)如果選用立方砷化硼這種結(jié)構(gòu)的話,可以做到1200W/mK的導(dǎo)熱系數(shù),接近硅材料的十倍,也是碳化硅、銅等材料的三倍左右。

高載流子遷移率單單只是熱導(dǎo)率高并沒有什么,還有一項(xiàng)重要的參數(shù),那就是載流子遷移率(電子遷移率和空穴遷移率),這也是兩篇論文研究的重點(diǎn)。更高的載流子遷移率意味著半導(dǎo)體的邏輯運(yùn)算速度更快,這樣在高密度的半導(dǎo)體芯片下可以實(shí)現(xiàn)更高的性能,正是因?yàn)樘蓟琛?a href="http://m.xsypw.cn/tags/氮化鎵/" target="_blank">氮化鎵等材料在電子遷移率和空穴遷移率上比不上硅,所以并沒有被廣泛用于邏輯芯片的制造中,主要還是用于功率半導(dǎo)體。

在麻省理工學(xué)院陳剛院士團(tuán)隊(duì)和休斯敦大學(xué)任志峰教授團(tuán)隊(duì)發(fā)表的論文中,他們用到了MIT開發(fā)的新技術(shù)瞬態(tài)光柵光譜,利用這種超快的激光光柵系統(tǒng),可以同時(shí)測量材料的電性能與熱性能。而另一篇論文由國家納米中心劉新風(fēng)研究團(tuán)隊(duì)聯(lián)合美國休斯敦大學(xué)包吉明團(tuán)隊(duì)和任志鋒團(tuán)隊(duì)發(fā)表,他們搭建了一套“超快載流子擴(kuò)散顯微成像系統(tǒng)”,來進(jìn)行實(shí)時(shí)原位觀測。

這兩篇論文得出立方砷化硼的遷移率都在1600cm2/Vs左右,這個(gè)參數(shù)比硅高出14%左右,也超過了碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體材料,不過與砷化鎵這種標(biāo)榜超高電子遷移率的材料相比還是有著不小差距。話雖如此,更優(yōu)的導(dǎo)電性能+導(dǎo)熱性能,這不已經(jīng)為替代硅材料起了個(gè)好頭了?

性能或許已經(jīng)達(dá)標(biāo),但制備量產(chǎn)才是難題我們在之前的文章中已經(jīng)提到過,硅作為最為豐富的元素之一,幾乎四處可尋,但要想做到作為半導(dǎo)體材料,也得用到5N以上的高純石英砂。目前來看,立方砷化硼在儲備上不足以與硅相抗衡,提純制備且不說只是停留在實(shí)驗(yàn)室規(guī)模,還會遇上不少挑戰(zhàn)。比如電離雜質(zhì)會導(dǎo)致載流子遷移率的降低,中性雜質(zhì)也會降低導(dǎo)熱率。不僅如此,立方砷化硼要想替代硅的霸主地位,除了遷移率和導(dǎo)熱率之外,其他的材料性能也必須做到足夠優(yōu)異,比如長期穩(wěn)定性等。

此外,在光電應(yīng)用崛起的當(dāng)下,目前三五族半導(dǎo)體,比如砷化鎵、氮化鎵和氮化硼等材料,都開始在高效太陽能電池、固態(tài)照明和高功率、高速晶體管中得到應(yīng)用,而立方砷化硼的光學(xué)參數(shù)依然有待探索。2020年也有相關(guān)的研究論文對立方砷化硼的光學(xué)特性進(jìn)行分析,包括在紫外光、可見光和近紅外波長范圍下的復(fù)介電函數(shù)、折射率和吸收系數(shù)等等,只有知道了這些參數(shù)以后,利用該材料進(jìn)行光電設(shè)計(jì)才能有個(gè)參照。

結(jié)語盡管立方砷化硼在導(dǎo)熱性能和遷移率上給到了不錯(cuò)的前景,但離正式投入商用還有很長的一條路要走。目前立方砷化硼最大的優(yōu)勢還是在導(dǎo)熱性能上,未來很可能會在一些對熱要求更高的半導(dǎo)體場景中使用,甚至是作為傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的導(dǎo)熱介質(zhì)等等。

審核編輯:彭靜
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原文標(biāo)題:?10倍熱導(dǎo)率,替代硅的新型半導(dǎo)體材料

文章出處:【微信號:elecfans,微信公眾號:電子發(fā)燒友網(wǎng)】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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