在集成電路制造工藝中,氧化工藝也是很關(guān)鍵的一環(huán)。通過在硅晶圓表面形成二氧化硅(SiO?)薄膜,不僅可以實現(xiàn)對硅表面的保護(hù)和鈍化,還能為后續(xù)的摻雜、絕緣、隔離等工藝提供基礎(chǔ)支撐。本文將對
發(fā)表于 06-12 10:23
?429次閱讀
ISSG(In-Situ Steam Generation,原位水蒸汽生成)是半導(dǎo)體制造中的一種高溫氧化工藝,核心原理是利用氫氣(H?)與氧氣(O?)在反應(yīng)腔內(nèi)直接合成高活性水蒸氣,并解離生成原子氧(O*),實現(xiàn)對硅表面的精準(zhǔn)氧化。
發(fā)表于 06-07 09:23
?285次閱讀
),避免引入二次污染。 適用場景:用于RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗(SC1/SC2配方)、去除硅片表面金屬離子和顆粒。 典型應(yīng)用: SC1溶液(H?SO?/H?O?):去除有機(jī)物和金屬污染; SC2溶液(HCl/H?O?):去除重金屬殘留。 技術(shù)限制: 傳統(tǒng)SPM(硫酸+過氧化氫)清洗中,過氧
發(fā)表于 06-04 15:15
?145次閱讀
半導(dǎo)體清洗SC1是一種基于氨水(NH?OH)、過氧化氫(H?O?)和去離子水(H?O)的化學(xué)清洗工藝,主要用于去除硅片表面的有機(jī)物、顆粒污染物及部分金屬雜質(zhì)。以下是其技術(shù)原理、配方配比、工藝特點
發(fā)表于 04-28 17:22
?734次閱讀
的潛在影響。 SPM清洗的化學(xué)特性 SPM成分:硫酸(H?SO?)與過氧化氫(H?O?)的混合液,通常比例為2:1至4:1(體積比),溫度控制在80-120℃35。 主要作用: 強(qiáng)氧化性:分解有機(jī)物(如光刻膠殘留)、氧化金屬污染
發(fā)表于 04-27 11:31
?229次閱讀
法) RCA清洗是晶圓清洗的經(jīng)典工藝,分為兩個核心步驟(SC-1和SC-2),通過化學(xué)溶液去除有機(jī)物、金屬污染物和顆粒124: SC-1(APM溶液) 化學(xué)配比:氫氧化銨(NH?OH,28%)、過氧化氫(H?O?,30%)與去離
發(fā)表于 04-22 09:01
?258次閱讀
AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)作為汽車電子委員會制定的重要規(guī)范,為汽車級集成電路的可靠性測試提供了明確的指導(dǎo)。其中,硫化氫(H?S)試驗是AEC-Q102標(biāo)準(zhǔn)中極具代表性的測試項目之一,它專注于評估集成電路在
發(fā)表于 04-18 12:01
?163次閱讀
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍,作者是美國人Michael Quirk??赐晗嘈拍銓φ麄€芯片制造流程會非常清晰地了解。從硅片制造,到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
發(fā)表于 04-15 13:52
在半導(dǎo)體制造過程中,SPM(Sulfuric Peroxide Mixture,硫酸過氧化氫混合液)清洗和HF(Hydrofluoric Acid,氫氟酸)清洗都是重要的濕法清洗步驟。但是很多人有點
發(fā)表于 04-07 09:47
?361次閱讀
可能來源于前道工序或環(huán)境。通常采用超聲波清洗、機(jī)械刷洗等物理方法,結(jié)合化學(xué)溶液(如酸性過氧化氫溶液)進(jìn)行清洗。 刻蝕后清洗 目的與方法:在晶圓經(jīng)過刻蝕工藝后,表面會殘留刻蝕劑和其他雜質(zhì),需要通過清洗去除。此步驟通常
發(fā)表于 01-07 16:12
?380次閱讀
范圍廣泛,覆蓋0.1 ppm至100 ppm,能夠滿足不同應(yīng)用場景的需求。其采用了全新的半導(dǎo)體納米多層敏感薄膜材料技術(shù)和優(yōu)化的物理氣象沉積工藝,對硫化氫氣體具有良好的響應(yīng)特性,即使在復(fù)雜多變的環(huán)境條件下,也能提供準(zhǔn)確的測量結(jié)果。
發(fā)表于 01-02 14:21
?503次閱讀
頂層金屬 AI工藝是指形成頂層金屬 AI 互連線。因為 Cu很容易在空氣中氧化,形成疏松的氧化銅,而且不會形成保護(hù)層防止銅進(jìn)一步氧化,另外,Cu 是軟金屬,不能作綁定的金屬,所以必須利
發(fā)表于 11-25 15:50
?1036次閱讀
一應(yīng)用原理當(dāng)產(chǎn)品在大氣中使用時,大氣環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品金屬表面形成水膜,而大氣中存在的硫化氫、二氧化硫、二氧化氮、氯氣等有害氣體會溶入金屬表面的水膜中,產(chǎn)生腐蝕性離子加速腐蝕的發(fā)生。近年來,環(huán)境的不斷
發(fā)表于 11-18 17:56
?868次閱讀
本文簡單介去除晶圓表面顆粒的原因及方法。
在12寸(300毫米)晶圓廠中,清洗是一個至關(guān)重要的工序。晶圓廠會購買大量的高純度濕化學(xué)品如硫酸,鹽酸,雙氧水,氨水,氫氟酸等用于清洗。
發(fā)表于 11-11 09:40
?1028次閱讀
與亞微米工藝類似,柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層,它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。
發(fā)表于 11-05 15:37
?1256次閱讀
評論