與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過熱氧化形成高質量的柵氧化層，它的熱穩定性和界面態都非常好。

1）清洗。將晶圓放入清洗槽中清洗，得到清潔的表面。因為后面一道工序是生長柵氧化層，對氧化膜的質量要求非常高，不能有缺陷，所以生長氧化硅前再過一道酸槽清除自然氧化層，同時熱氧化生長的柵氧化層厚度會更精確。

2）生長厚柵氧化層。利用爐管熱氧化生長一層厚的二氧化硅柵氧化層，溫度為850°C左右。先用濕氧氧化法，通入H2和O2的混合氣體，然后用干氧氧化法，通入高純度的氧氣使硅氧化。干氧生長的氧化物結構、質地和均勻性均比濕氧生長的氧化物好，但用濕氧形成的氧化物的TDDB比較長。圖4-170所示為生長厚柵氧化層后的剖面圖。

3）厚柵氧光刻處理。通過微影技術將厚柵氧掩膜版上的圖形轉移到晶圓上，形成中壓器件柵氧化層的圖案，保留中壓器件區域的光刻膠。AA作為厚柵氧光刻曝光對準。圖4-39所示為電路的版圖，工藝的剖面圖是沿 AA'方向，圖4-171 所示為厚柵氧光刻的剖面圖，圖4-172 所示為厚柵氧顯影的剖面圖。

4）測量厚柵氧光刻套刻，收集曝光之后的厚柵氧光刻與 AA的套刻數據。

5）檢查顯影后曝光的圖形。

6）濕法刻蝕去除低壓器件區域氧化層。通過濕法刻蝕去掉低壓器件區域的氧化層，留下中壓器件區域的柵氧。圖4-173所示為去除低壓器件區域氧化層的剖面圖。

7）去光刻膠。通過干法刻蝕和濕法刻蝕去除光刻膠。圖4-174所示為去除光刻膠后的剖面圖。

8）清洗。將晶圓放入清洗槽中清洗，得到清潔的表面，防止表面的雜質在生長薄柵氧化層時影響氧化層的質量。

9）生長薄柵氧化層。利用爐管熱氧化生長一層薄的二氧化硅柵氧，溫度為800°C左右，先用濕氧氧化法，通入H2和O2的混合氣體，然后用干氧氧化法，通入高純度的氧氣使硅氧化。該步驟為低壓器件的柵氧，中壓器件的柵氧就是兩次所生長的柵氧，但不是相加，因為有氧化層覆蓋的區域和沒有氧化層覆蓋的區域柵氧的生長速率是不一樣的。圖4-175所示為生長薄柵氧和厚柵氧的剖面圖。