平面互補場效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程
平面互補場效應(yīng)晶體管替代金屬柵工藝流程從平面 CMOS 45nm/ 32nm 節(jié)點開始，Intel 公司率先成功使用替代金屬柵(Replacement - Metal - Gate， RMG) 工藝（又稱后柵工藝），實現(xiàn)了高K氧化鉿柵介質(zhì) ( 減小柵泄漏電流） 和金屬柵（較低柵電阻），如圖所示。
該工藝是指在形成層間介質(zhì)層（ILD）后，插入工序以形成高k介質(zhì)和金屬柵疊層，即在化學機械拋光（露出多晶硅柵疊層）后，刻蝕掉硬掩模（氮化硅/氧化硅），利用干法或濕法刻蝕清除多晶硅；然后形成高k介質(zhì)（IL-ox/氧化鉿)，接下來進行退火 一 沉積 TiN 覆蓋層 一 退火 一 沉積非晶硅覆蓋層 一 尖峰退火 一 濕法清除非晶硅 一 沉積 TaN（刻蝕阻擋層）和p型功函數(shù)層（p-WF, TiN) 一 掩模（開nFET) 一 刻蝕 P-WF (TiN) 一 光刻膠去除 一 沉積n型功函數(shù)層（TiAI) 一 柵金屬層填充（CVD 或濺射鈦，鋁或鎢)。其他工序與文章-1的相同。
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
CMOS
+關(guān)注
關(guān)注
58文章
6009瀏覽量
238681 -
多晶硅
+關(guān)注
關(guān)注
3文章
249瀏覽量
29799 -
晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
77文章
10009瀏覽量
141406 -
場效應(yīng)晶體管
+關(guān)注
關(guān)注
6文章
394瀏覽量
20003 -
刻蝕
+關(guān)注
關(guān)注
2文章
205瀏覽量
13383
原文標題：CMOS工藝 - 2
文章出處：【微信號：Semi Connect，微信公眾號：Semi Connect】歡迎添加關(guān)注！文章轉(zhuǎn)載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
互補場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
隨著半導體技術(shù)不斷逼近物理極限，傳統(tǒng)的平面晶體管（Planar FET）、鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）從平面晶體管到FinFET的演變，乃至全環(huán)繞柵或圍柵（GAA
互補場效應(yīng)晶體管點火和只用一個場效應(yīng)晶體管點火與PWM的區(qū)別？
我想了解互補場效應(yīng)晶體管點火和只用一個場效應(yīng)晶體管點火與 PWM 的區(qū)別？
發(fā)表于 05-21 07:24
揭秘場效應(yīng)晶體管的使用訣竅，看完這里你就了然于胸
的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分爲結(jié)型場效應(yīng)晶體管和絕緣柵型場效應(yīng)晶體管;絕緣柵型場效應(yīng)晶體管又稱爲金屬
發(fā)表于 03-21 16:48
一文讓你秒懂場效應(yīng)晶體管的所有參數(shù)
源電流IDSS是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中，柵極電壓UGS＝0時的漏源電流。（2）夾斷電壓夾斷電壓UP是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)晶體管中，使漏源間剛截止時的柵極電壓。如同4-
發(fā)表于 04-04 10:59
場效應(yīng)晶體管的分類及作用
運動的少子擴散引起的散粒噪聲，所以噪聲低。場效應(yīng)晶體管有哪幾種分類場效應(yīng)管分為結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）和絕緣柵場效應(yīng)管（MOS
發(fā)表于 05-08 09:26
場效應(yīng)晶體管的選用經(jīng)驗分享
音頻放大器的差分輸入電路及調(diào)制、較大、阻抗變換、穩(wěn)流、限流、自動保護等電路，可選用結(jié)型場效應(yīng)晶體管。音頻功率放大、開關(guān)電源、逆變器、電源轉(zhuǎn)換器、鎮(zhèn)流器、充電器、電動機驅(qū)動、繼電器驅(qū)動等電路，可選
發(fā)表于 05-13 07:10
MOSFET和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變
2）。然后，門重新控制了薄體。 圖2.鰭式場效應(yīng)晶體管 此外，從平面移動到3D可降低亞閾值斜率和Ioff電流。體積將增加，漏電流將小于平面設(shè)計。 雙柵極與三柵鰭式
發(fā)表于 02-24 15:20
什么是鰭式場效應(yīng)晶體管？鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點？
FinFET成為它們的替代品。鰭式場效應(yīng)晶體管比平面 MOSFET 更好地阻斷短通道效應(yīng)，從而實現(xiàn)晶體管縮放。
發(fā)表于 02-24 15:25
場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管的分類及使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和
發(fā)表于 01-13 16:01
?133次下載
什么是場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管
場效應(yīng)晶體管（FieldEffectTransistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即
發(fā)表于 05-24 23:11
?7314次閱讀
功率場效應(yīng)晶體管的工作特性
功率MOS場效應(yīng)晶體管，即MOSFET，其原意是：MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以
如何進行場效應(yīng)晶體管的分類和使用
場效應(yīng)晶體管可分為結(jié)場效應(yīng)晶體管和MOS場效應(yīng)晶體管。而MOS場效應(yīng)晶體管又分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。
發(fā)表于 07-02 17:19
?20次下載
場效應(yīng)晶體管的分類說明
場效應(yīng)晶體管根據(jù)其結(jié)構(gòu)的不同分類，體管（金屬氧化物半導體型）兩大類。可分為以下5種。可分為結(jié)型場效應(yīng)晶體管與絕緣柵型
鰭式場效應(yīng)晶體管制造工藝流程
FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道
無結(jié)場效應(yīng)晶體管詳解
場效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個 PN結(jié)，金屬-半導體場效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個柵
工商網(wǎng)監(jiān)
評論