三星GalaxyS23系列國行版通過3C認證
據消息人士透露，今天早些時候，三星Galaxy S23/S23+手機通過了3C認證。認證信息顯示，這兩部手機都配備了與先前型號相同的EP-TA800充電器，設備標識符確認這些設備是為中國市場準備的。最近，三星Galaxy S23 Ultra也獲得了3C認證，并配備了25W充電器。然而，據推測，國際版的機器仍將支持高達45 W的充電率。
與Galaxy S22系列相比，Galaxys S23系列變化不大。除了升級到高通驍龍8 Gen2平臺之外，Galaxy S23和Galaxys S23+的其余部分保持不變。除了新的SoC，Galaxy S23 Ultra還將升級屏幕和200萬像素攝像頭。
Galaxy S23 Ultra是三星歷史上外觀尺寸變化最小的旗艦產品，尺寸為163.4×78.1×8.9 mm。后蓋的設計仍延續了三星Galaxys S22 Ultra的五孔設計，鏡頭尺寸保持不變。最大的變化是中間框架寬度的增加。
然而，根據國外媒體GSMArena的測試，Galaxy S22 Ultra支持高達45W的充電速度，但不超過25W，使用45W充電器將S22 Ultra0-100%充滿電，與使用25W充電器相比少花5分鐘，分別需要59分鐘、1小時和04分鐘。
綜合小布在未來生活和IT之家整合
審核編輯：郭婷
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
充電器
+關注
關注
100文章
4280瀏覽量
118312 -
三星
+關注
關注
1文章
1694瀏覽量
32644
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
充電樁3c認證如何辦理,需要哪些資料
辦理充電樁的3C（CCC）認證主要包括申請、測試、工廠審查、獲證等幾個環節。以下是完整的流程說明和所需資料清單。一、辦理流程提交申請向認證機構（如CQC、全球通檢測等）提交認證申請表及
鋰電池3C認證新規實施了嗎
是的，鋰電池（包括電池組）的3C（CCC）認證新規已正式實施。一、實施時間節點從2023年8月1日起，相關認證機構開始受理鋰離子電池、電池組和移動電源的CCC認證申請。從2024年8月
回收三星S21指紋排線 適用于三星系列指紋模組
深圳帝歐電子回收三星S21指紋排線，收購適用于三星S21指紋模組。回收三星指紋排線，收購三星指紋排線，全國高價回收三星指紋排線，專業求購指紋
發表于 05-19 10:05
三星在4nm邏輯芯片上實現40%以上的測試良率
似乎遇到了一些問題 。
另一家韓媒《DealSite》當地時間17日報道稱，自 1z nm 時期開始出現的電容漏電問題正對三星 1c nm DRAM 的開發量產造成明顯影響。三星試圖通過
發表于 04-18 10:52
三星與英偉達高層會晤，商討HBM3E供應
其高帶寬存儲器HBM3E產品中的初始缺陷問題，并就三星第五代HBM3E產品向英偉達供應的相關事宜進行了深入討論。 此次高層會晤引發了外界的廣泛關注。據推測，三星8層HBM
三星Galaxy S25系列國行價格揭曉
在萬眾矚目的三星Galaxy S25系列手機發布會上，消費者們終于迎來了國行價格的正式公布。此次發布的Galaxy S25系列手機涵蓋了Galaxy S25、Galaxy S25+以及
三星Galaxy S25 Edge通過3C認證
據最新消息，一款型號為SM - S9370的三星手機通過了國內3C認證，支持25W充電功率，預計為Galaxy S25 Edge超薄手機。 在2025 Galaxy Unpacked發
充電樁3C認證有哪些測試項目
充電樁3C認證的測試項目是為了確保產品在電氣安全、電磁兼容性（EMC）、環境適應性等方面達到國家標準的要求。以下是基于現有資料整理的一些主要測試項目，這些測試旨在保障充電樁的安全性和可靠性：
英偉達加速認證三星AI內存芯片
近日，英偉達公司正在積極推進對三星AI內存芯片的認證工作。據英偉達CEO透露，他們正在不遺余力地加速這一進程，旨在盡快將三星的內存解決方案融入其產品中。 此次認證工作的焦點在于
三星電子HBM3E內存獲英偉達認證，加速AI GPU市場布局
近日，知名市場研究機構TrendForce在最新發布的報告中宣布了一項重要進展：三星電子的HBM3E內存產品已成功通過英偉達驗證，并正式開啟出貨流程。具體而言，三星的HBM
TrendForce:三星HBM3E內存通過英偉達驗證,8Hi版本正式出貨
9月4日最新資訊，據TrendForce集邦咨詢的最新報告透露，三星電子已成功完成其HBM3E內存產品的驗證流程，并正式啟動了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出貨，該產品主要面向英偉達H200
三星否認HBM3E芯片通過英偉達測試
近日，有關三星的8層HBM3E芯片已通過英偉達測試的報道引起了廣泛關注。然而，三星電子迅速對此傳聞進行了回應，明確表示該報道并不屬實。
三星HBM3e獲英偉達認證，加速DRAM產能轉型
近日，三星電子在半導體領域再傳捷報，其高頻寬內存（HBM）產品HBM3e已成功通過全球圖形處理與AI計算巨頭英偉達（NVIDIA）的嚴格認證，標志著該產品即將進入規模化生產階段，預計在
工商網監
評論