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數(shù)明半導(dǎo)推出SiLM27511H高欠壓保護(hù)閾值的單通道高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器

數(shù)明半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:數(shù)明半導(dǎo)體 ? 作者:數(shù)明半導(dǎo)體 ? 2022-11-25 10:34 ? 次閱讀

新品推薦

SiLM27511H

高欠壓保護(hù)閾值的

單通道高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器

功率器件開(kāi)關(guān)廣泛應(yīng)用于汽車、工業(yè)能源、電池儲(chǔ)能、電信服務(wù)器、家電等領(lǐng)域,通過(guò)控制功率器件的開(kāi)通和關(guān)斷實(shí)現(xiàn)電能的變換,開(kāi)關(guān)頻率、輸入輸出電壓和電流的控制都是電能轉(zhuǎn)換的關(guān)鍵。因此,為了保證功率器件的高效可靠,需要在解決方案中引入更優(yōu)化的驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品。數(shù)明半導(dǎo)體最新推出的高欠壓保護(hù)閾值的單通道高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27511H以其短延時(shí)、雙輸入、高欠壓保護(hù)閾值和廣泛的應(yīng)用場(chǎng)景等優(yōu)勢(shì),為用戶提供了更安全可靠的功率器件驅(qū)動(dòng)方案。

SiLM27511H 具有欠壓保護(hù)(UVLO)功能,欠壓保護(hù)閾值高至12.5V;并提供了高達(dá) 4A 峰值源電流、5A 峰值灌電流能力,可有效驅(qū)動(dòng) MOSFETIGBT 等功率器件。在輸出負(fù)載 CLOAD=1.8nF 的條件下,驅(qū)動(dòng)上升時(shí)間縮短至 9ns,驅(qū)動(dòng)下降時(shí)間縮短至 6ns。

SiLM27511H

產(chǎn)品特性

快速的傳輸延時(shí)

SiLM27511H 的快速的傳輸延時(shí),可確保驅(qū)動(dòng)器安全可靠地驅(qū)動(dòng)功率器件,輕松滿足客戶對(duì)更高開(kāi)關(guān)頻率的需求。

支持雙輸入

SiLM27511H 具有雙輸入特性。在同一個(gè)芯片上,通過(guò)IN+,IN-設(shè)置為同相或反向邏輯,也可以通過(guò)IN+或IN-來(lái)控制芯片的輸出,從而實(shí)現(xiàn)使能控制的功能。

支持輸出分開(kāi)設(shè)計(jì)

SiLM27511H可支持輸出分開(kāi)設(shè)計(jì),OUTH和OUTL管腳可分別控制輸出級(jí)的開(kāi)通和關(guān)斷速度,也可合并輸出,使用非常靈活。

電源電壓欠壓保護(hù)功能

SiLM27511H的欠壓保護(hù)閾值高至12.5V,適合 15V 驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用場(chǎng)景,特別適合大功率器件。當(dāng)電源電壓波動(dòng)低于保護(hù)電壓閾值,或在電源供電啟動(dòng)和關(guān)斷過(guò)程中,可關(guān)閉驅(qū)動(dòng)器的輸出,避免功率開(kāi)關(guān)器件的意外開(kāi)通。

寬溫度范圍

SiLM27511H結(jié)溫溫度范圍寬至 -40°C-140°C,能滿足在不同的應(yīng)用場(chǎng)景下安全可靠工作的需求。

封裝小,精簡(jiǎn)PCB布局

SiLM27511H提供 SOT23-6 的小巧封裝,可精簡(jiǎn) PCB布局、能有效降低成本。

審核編輯:湯梓紅

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

原文標(biāo)題:新品發(fā)布 丨 SiLM27511H 高欠壓保護(hù)閾值的單通道高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器

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