UCC27511 和 UCC27512 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器器件可以 有效驅(qū)動(dòng) MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27511 和 UCC27512 能夠拉出和吸收高峰值電流 脈沖進(jìn)入電容性負(fù)載，提供軌到軌驅(qū)動(dòng)能力和極小的傳播 延遲，通常為 13 ns。

UCC27511 采用雙輸入設(shè)計(jì)，可靈活地實(shí)現(xiàn)兩者 反相 （IN– pin） 和同相 （IN+ pin） 配置。IN+ 或 IN– 引腳可用于控制驅(qū)動(dòng)器輸出的狀態(tài)。未使用的輸入引腳可用于 啟用和禁用功能。為安全起見，內(nèi)部上拉和下拉電阻器 input pins 確保在 input pins 處于浮動(dòng)狀態(tài)時(shí)，output 保持為低電平。因此， 未使用的輸入引腳不會(huì)懸空，必須適當(dāng)偏置以確保驅(qū)動(dòng)器輸出 in enabled for normal operation（啟用正常作）。
*附件：ucc27512.pdf

UCC27511 器件的輸入引腳閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容 低壓邏輯是固定的，獨(dú)立于 VDD 系列電源電壓。 高閾值和低閾值之間的寬滯后提供了出色的抗噪性。

UCC27511 和 UCC27512 提供 4A 拉電流、8A 灌電流（非對稱驅(qū)動(dòng)）峰值驅(qū)動(dòng) 電流能力。非對稱驅(qū)動(dòng)中的強(qiáng)大灌電流能力增強(qiáng)了對寄生、 Miller turnon 效應(yīng)。UCC27511 器件還具有獨(dú)特的分離輸出配置，其中 柵極驅(qū)動(dòng)電流通過 OUTH 引腳提供，并通過 OUTL 引腳吸收。這個(gè)獨(dú)特的別針 配置允許用戶對 OUTH 和 OUTL 施加獨(dú)立的導(dǎo)通和關(guān)斷電阻器 引腳，并輕松控制開關(guān)轉(zhuǎn)換速率。

UCC27511 和 UCC27512 設(shè)計(jì)用于在較寬的 V 電壓下工作DD 系列范圍為 4.5 至 18 V，溫度范圍為 –40°C 至 140°C。 內(nèi)部欠壓鎖定 V 上的 （UVLO） 電路DD 系列pin 將輸出保持在 Out Outside 為低電平 VDD 系列作范圍。能夠在低電壓水平下運(yùn)行，例如 低于 5 V 的電壓，以及一流的開關(guān)特性，特別適合駕駛 新興的寬帶隙功率開關(guān)器件，例如 GaN 功率半導(dǎo)體器件。

特性

• 低成本柵極驅(qū)動(dòng)器器件，可出色
  地替代 NPN 和 PNP 分立解決方案
• 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流非對稱
  驅(qū)動(dòng)器
• 強(qiáng)大的灌電流提供了更
  強(qiáng)的抗米勒轉(zhuǎn)向能力
• UCC27511中的分離輸出配置（允許輕松
  獨(dú)立地調(diào)整導(dǎo)通和關(guān)
  斷速度）可節(jié)省 1 個(gè)二極管
• 快速傳播延遲（典型值為 13ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（典型值為 9ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 單電源范圍
• 在 VDD UVLO 期間，輸出保持低電平（確保在
  上電和
  斷電時(shí)無毛刺運(yùn)行）
• TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閾值
  （與電源電壓無關(guān)）
• 具有高抗噪
  能力的遲滯邏輯閾值
• 雙輸入設(shè)計(jì)（可選擇反相（IN– 引腳） 或同相 （IN+ 引腳）驅(qū)動(dòng)器配置）
  • 未使用的 Input Pin 可用于啟用或
    禁用功能
• 當(dāng) Input 引腳懸空時(shí)，輸出保持低電平
• 輸入引腳絕對最大電壓電平不受
  VDD 引腳偏置電源電壓限制
• 工作溫度范圍為 –40°C
  至 140°C
• 6 引腳 DBV （SOT-23） 和 6 引腳 DRS（3mm ×
  3mm WSON，帶外露散熱焊盤）封裝
  選項(xiàng)

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號?：UCC
• ?類型?：單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器
• ?特點(diǎn)?：
  • A峰值源電流和A峰值沉電流（非對稱驅(qū)動(dòng)）
  • 引腳DBV（SOT-）和引腳DRS（mm x mm WSON，帶裸露熱墊）封裝選項(xiàng)
  • TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值（獨(dú)立于電源電壓）
  • 快速傳播延遲（典型值ns）
  • 快速上升和下降時(shí)間（典型值ns和ns）
  • .V至V單電源供電范圍
  • 輸出在VDD欠壓鎖定（UVLO）期間保持低電平

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 開關(guān)模式電源
• DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 太陽能電源、電機(jī)控制、不間斷電源（UPS）
• 新興寬帶隙功率器件（如GaN）的柵極驅(qū)動(dòng)器

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：偏置電源輸入
• ?GND?：地
• ? IN+ ?：非反相輸入
• ? IN- ?：反相輸入
• ?OUTH?：源電流輸出（僅DBV封裝）
• ?OUTL?：沉電流輸出（僅DBV封裝）
• ?OUT?：源/沉電流輸出（DRS封裝）

四、電氣特性

• ?供電電壓范圍?：.V至V
• ?輸入閾值?：
  • 高電平閾值（VIN_H）：.V至.V
  • 低電平閾值（VIN_L）：.V至.V
  • 輸入遲滯：.V
• ?輸出特性?：
  • 峰值源電流：A
  • 峰值沉電流：A
  • 高電平輸出電壓（VOH）：接近VDD
  • 低電平輸出電壓（VOL）：mV至.V
  • 輸出上拉電阻（ROH）：.Ω至.Ω
  • 輸出下拉電阻（ROL）：.Ω至.Ω

五、保護(hù)功能

• ?UVLO?：當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時(shí)，輸出保持低電平。

六、設(shè)備功能模式

• ?正常模式?：輸出狀態(tài)取決于IN+和IN-引腳的狀態(tài)。
• ?UVLO模式?：當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時(shí)，設(shè)備進(jìn)入U(xiǎn)VLO模式，輸出保持低電平。

七、典型應(yīng)用

• 提供了非反相和反相配置的典型應(yīng)用圖。
• 詳細(xì)描述了設(shè)計(jì)要求和設(shè)計(jì)過程，包括輸入輸出邏輯、輸入閾值類型、VDD偏置供電電壓、峰值源和沉電流、啟用和禁用功能、傳播延遲、功率耗散和封裝類型等考慮因素。

八、布局指南

• 推薦將驅(qū)動(dòng)器設(shè)備盡可能靠近功率器件放置，以最小化高電流跡線的長度。
• 推薦在VDD和GND之間放置低ESR和ESL電容器，并盡可能靠近IC。
• 最小化開通和關(guān)斷電流回路的寄生電感。