UCC27611 是一款針對 5V 驅動優化的單通道高速柵極驅動器,專門針對增強型 GaN FET 進行尋址。驅動電壓 VREF 由內部線性穩壓器精確控制至 5 V。UCC27611 提供不對稱的軌到軌峰值電流驅動能力,具有 4A 拉電流和 6A 灌電流。分離輸出配置允許根據 FET 單獨優化導通和關斷時間。具有最小寄生電感的封裝和引腳排列可縮短上升和下降時間并限制振鈴。此外,具有最小容差和變化的短傳播延遲允許在高頻下高效運行。1-Ω 和 0.35-Ω 電阻增強了對高轉換速率 dV 和 dt 的硬開關的抗擾度。
*附件:ucc27611.pdf
獨立于 VDD 輸入信號閾值,確保 TTL 和 CMOS 低電壓邏輯兼容性。出于安全原因,當 input 引腳處于浮動狀態時,內部 input pullup 和 pulldown 電阻器將輸出保持為低電平。VREF 引腳上的內部電路提供欠壓鎖定功能,將輸出保持為低電平,直到 VREF 電源電壓處于工作范圍內。UCC27611 采用小型 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 封裝 (DRV),帶有外露散熱和接地焊盤,可提高封裝的功率處理能力。該UCC27611可在 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍內工作。
特性
- 增強型氮化鎵 FET (eGANFET)
- 4V 至 18V 單電源范圍 VDD 范圍
- 驅動電壓 VREF 穩壓至 5 V
- 4A 峰值拉電流和 6A 峰值灌電流驅動電流
- 1-Ω 和 0.35-Ω 上拉和下拉電阻(最大限度地提高高轉換速率 dV 和 dt 抗擾度)
- 分離輸出配置(允許對單個 FET 進行導通和關斷優化)
- 快速傳播延遲(典型值為 14ns)
- 快速上升和下降時間(典型值為 9ns 和 5ns)
- TTL 和 CMOS 兼容輸入(與電源電壓無關,可輕松連接到數字和模擬控制器)
- 雙輸入設計提供驅動靈活性(反相和同相配置)
- 當 inputs 懸空時,output 保持低電平
- VDD 欠壓鎖定 (UVLO)
- 優化的引腳排列與 eGANFET 封裝兼容,便于布局
- 2.00 mm × 2.00 mm SON-6 封裝,帶外露散熱焊盤和接地焊盤(最小化寄生電感以減少柵極振鈴)
- 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
參數
方框圖
一、產品概述
- ?型號?:UCC
- ?類型?:單通道高速GaN驅動器
- ?特點?:
- 專為5V驅動設計,針對增強型GaN FETs進行優化
- .V至V的單電源供電范圍
- VREF驅動電壓精確調節至V
- 高達4A的源電流和6A的漏電流峰值驅動能力
- Ω和0.Ω的上拉和下拉電阻,增強高dV/dt和dt免疫能力
- 分裂輸出配置,允許獨立優化FET的開通和關斷時間
- 極快的傳播延遲(典型值4ns)
- 快速的上升和下降時間(典型值分別為9ns和ns)
- TTL和CMOS兼容輸入,獨立于供電電壓
- 雙輸入設計,提供驅動靈活性(反相和非反相配置)
- 輸入浮空時輸出保持低電平
- VDD欠壓鎖定(UVLO)保護
- 優化的引腳布局,與eGANFET引腳布局兼容,便于布局
- .0mm × 2.mm SON-封裝,具有暴露的熱墊和接地墊,減少寄生電感以降低柵極振鈴
二、引腳配置與功能
- ?VDD?:偏置供電輸入
- ? IN+ ?:非反相輸入
- ? IN- ?:反相輸入
- ?OUTH?:4A源電流輸出
- ?OUTL?:6A漏電流輸出
- ?VREF?:驅動電壓輸出,內部線性調節器輸出5V
- ?GND PAD?:接地墊,所有信號均參考此節點
三、電氣特性
- ?VDD范圍?:4V至8V
- ?UVLO閾值?:
- VON:.5V至.5V
- VOFF:.V至3.9V
- 滯回電壓:.5V
- ?輸入閾值?:
- VIN_H(高閾值):.5V至.5V
- VIN_L(低閾值):.V至1.3V
- 輸入滯回:0.7V至.V
- ?VREF輸出?:4.V至5.V
- ?輸出特性?:
- 峰值源電流(OUTH):-A
- 峰值漏電流(OUTL):-A
- VOH:高電平輸出電壓(IOUTH = -mA時)
- VOL:低電平輸出電壓(IOUTL = 0mA時)
- ROH:輸出上拉電阻(典型值1Ω)
- ROL:輸出下拉電阻(典型值0.Ω)
四、開關特性
- ?傳播延遲?:
- 開通傳播延遲(tD):典型值4ns
- 關斷傳播延遲(tD):典型值4ns
- ?上升時間?:典型值5ns
- ?下降時間?:典型值9ns
五、應用
六、布局與熱考慮
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技術資料#UCC5304 5kVrms,4A/6A單通道隔離柵極驅動器,帶5V UVLO,適用于GaNFETs和MOSFETs

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