UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件可以 有效驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 功率開關(guān)。使用本質(zhì)上最小化 擊穿電流、UCC27516 和 UCC27517 可以拉出和吸收高峰值電流脈沖 電容負(fù)載提供軌到軌驅(qū)動能力和極小的傳播延遲， 通常為 13 ns。

UCC27516 和 UCC27517 提供 4A 拉電流、4A 灌電流（對稱驅(qū)動）峰值驅(qū)動 VDD = 12 V 時(shí)的電流能力。
*附件：ucc27517.pdf

UCC27516 和 UCC27517 設(shè)計(jì)用于在 4.5 至 18 V 的寬 VDD 范圍內(nèi)工作 以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。 內(nèi)部欠壓鎖定 （UVLO） 電路 VDD 引腳將輸出保持在 VDD 工作范圍之外的低電平。能夠在低電壓下工作 低于 5 V 的水平以及一流的開關(guān)特性特別適合 用于驅(qū)動新興的寬帶隙功率開關(guān)器件，如 GaN 功率半導(dǎo)體 設(shè)備。

UCC27516 和 UCC27517 器件采用雙輸入設(shè)計(jì)，可提供以下靈活性 使用相同的方式實(shí)現(xiàn)反相（IN– 引腳）和同相（IN+ 引腳）配置 裝置。IN+ 或 IN– 引腳可用于控制驅(qū)動器輸出的狀態(tài)。未使用的 輸入引腳可用于啟用和禁用功能。為安全起見，內(nèi)部上拉和 輸入引腳上的下拉電阻器確保在輸入引腳輸入時(shí)輸出保持低電平 floating 條件。因此，未使用的 input pin 不會懸空，必須正確偏置到 確保 Driver Output 處于啟用狀態(tài)，以便正常作。

UCC27516 和 UCC27517 器件的輸入引腳閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低電壓邏輯，它是固定的，獨(dú)立于 VDD 電源電壓。寬 高閾值和低閾值之間的滯后提供了出色的抗噪性。

特性

• 低成本柵極驅(qū)動器器件，可出色地替代
  NPN 和 PNP 分立解決方案
• 4A 峰值源電流和 4A 峰灌電流對稱驅(qū)動
• 快速傳播延遲（典型值為 13ns）
• 快速上升和下降時(shí)間（典型值為 9ns 和 7ns）
• 4.5V 至 18V 單電源范圍
• 在 VDD UVLO 期間，輸出保持低電平（確保在上電和斷電時(shí)
  無毛刺運(yùn)行）
• TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閾值 （與電源電壓無關(guān)
  ）
• 具有高抗噪能力的遲滯邏輯閾值
• 雙輸入設(shè)計(jì)（可選擇反相 （IN– 引腳） 或同相 （IN+ 引腳） 驅(qū)動器配置）
  • 未使用的 Input Pin 可用于 Enable 或 Disable 功能
• 當(dāng) Input 引腳懸空時(shí)，輸出保持低電平
• 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓限制
• 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
• 5 引腳 DBV （SOT-23） 和 6 引腳 DRS（3mm ×
  3mm WSON，帶外露散熱焊盤）封裝選項(xiàng)

參數(shù)

方框圖

一、產(chǎn)品概述

• ?型號?：UCC
• ?類型?：單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器
• ?特點(diǎn)?：
  • A峰值源和沉電流能力
  • TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值
  • 寬VDD工作范圍：.V至V
  • 輸出在VDD欠壓鎖定（UVLO）期間保持低電平
  • 低傳播延遲：典型值ns
  • 反相/非反相輸入配置選項(xiàng)
  • 未使用輸入引腳可用作使能或禁用功能

二、應(yīng)用領(lǐng)域

• 開關(guān)模式電源
• DC-DC轉(zhuǎn)換器
• 數(shù)字功率控制器的配套柵極驅(qū)動器
• 太陽能電源、電機(jī)控制、不間斷電源（UPS）
• 新興寬帶隙功率器件（如GaN）的柵極驅(qū)動器

三、引腳配置與功能

• ?VDD?：偏置供電輸入
• ?GND?：地，所有信號參考此引腳
• ? IN+ ?：非反相輸入，當(dāng)用于反相配置時(shí)接地
• ? IN- ?：反相輸入，當(dāng)用于非反相配置時(shí)接VDD
• ?OUT?：柵極驅(qū)動電流輸出

四、電氣特性

• ?VDD工作范圍?：.V至V
• ?輸入閾值?：
  • VIN_H（輸入高閾值）：典型值.V（VDD=V時(shí)）
  • VIN_L（輸入低閾值）：典型值.V（VDD=V時(shí)）
  • 輸入滯回：典型值V
• ?輸出特性?：
  • 峰值源/沉電流：A
  • 高電平輸出電壓（VOH）：I OUT = - mA時(shí)，mV至mV（VDD=.V至V）
  • 低電平輸出電壓（VOL）：I OUT = mA時(shí)，mV至mV（VDD=.V至V）
• ?傳播延遲?：
  • IN+到輸出延遲：典型值ns（VDD=V，C LOAD = .nF）
  • IN-到輸出延遲：典型值ns（VDD=V，C LOAD = .nF）

五、保護(hù)功能

• ?UVLO?：欠壓鎖定功能，當(dāng)VDD電壓低于UVLO閾值時(shí)，輸出被拉低。

六、設(shè)備功能模式

• ?反相/非反相模式?：通過連接IN+或IN-到VDD或GND來選擇。
• ?使能/禁用功能?：未使用的輸入引腳（IN+或IN-）可通過連接到VDD或GND來實(shí)現(xiàn)使能或禁用功能。

七、典型應(yīng)用

• 提供了典型應(yīng)用電路圖，展示了如何使用UCC驅(qū)動功率MOSFET。
• 詳細(xì)描述了設(shè)計(jì)要求和設(shè)計(jì)過程，包括輸入輸出邏輯配置、VDD偏置供電電壓、峰值源和沉電流、傳播延遲、使能功能等考慮因素。

八、布局指南

• 推薦將驅(qū)動器盡可能靠近功率MOSFET放置，以最小化柵極驅(qū)動回路的電感。
• 推薦在VDD和GND之間放置低ESR陶瓷電容器，以改善噪聲濾波。
• 提供了布局示例和熱考慮因素。