UCC27516 和 UCC27517 單通道、高速、低側柵極驅動器器件可以 有效驅動 MOSFET 和 IGBT 功率開關。使用本質上最小化 擊穿電流、UCC27516 和 UCC27517 可以拉出和吸收高峰值電流脈沖 電容負載提供軌到軌驅動能力和極小的傳播延遲, 通常為 13 ns。
UCC27516 和 UCC27517 提供 4A 拉電流、4A 灌電流(對稱驅動)峰值驅動 VDD = 12 V 時的電流能力。
*附件:ucc27517.pdf
UCC27516 和 UCC27517 設計用于在 4.5 至 18 V 的寬 VDD 范圍內工作 以及 –40°C 至 140°C 的寬溫度范圍。 內部欠壓鎖定 (UVLO) 電路 VDD 引腳將輸出保持在 VDD 工作范圍之外的低電平。能夠在低電壓下工作 低于 5 V 的水平以及一流的開關特性特別適合 用于驅動新興的寬帶隙功率開關器件,如 GaN 功率半導體 設備。
UCC27516 和 UCC27517 器件采用雙輸入設計,可提供以下靈活性 使用相同的方式實現反相(IN– 引腳)和同相(IN+ 引腳)配置 裝置。IN+ 或 IN– 引腳可用于控制驅動器輸出的狀態。未使用的 輸入引腳可用于啟用和禁用功能。為安全起見,內部上拉和 輸入引腳上的下拉電阻器確保在輸入引腳輸入時輸出保持低電平 floating 條件。因此,未使用的 input pin 不會懸空,必須正確偏置到 確保 Driver Output 處于啟用狀態,以便正常作。
UCC27516 和 UCC27517 器件的輸入引腳閾值基于 TTL 和 CMOS 兼容的低電壓邏輯,它是固定的,獨立于 VDD 電源電壓。寬 高閾值和低閾值之間的滯后提供了出色的抗噪性。
特性
- 低成本柵極驅動器器件,可出色地替代
NPN 和 PNP 分立解決方案 - 4A 峰值源電流和 4A 峰灌電流對稱驅動
- 快速傳播延遲(典型值為 13ns)
- 快速上升和下降時間(典型值為 9ns 和 7ns)
- 4.5V 至 18V 單電源范圍
- 在 VDD UVLO 期間,輸出保持低電平(確保在上電和斷電時
無毛刺運行) - TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閾值 (與電源電壓無關
) - 具有高抗噪能力的遲滯邏輯閾值
- 雙輸入設計(可選擇反相 (IN– 引腳) 或同相 (IN+ 引腳) 驅動器配置)
- 未使用的 Input Pin 可用于 Enable 或 Disable 功能
- 當 Input 引腳懸空時,輸出保持低電平
- 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓限制
- 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
- 5 引腳 DBV (SOT-23) 和 6 引腳 DRS(3mm ×
3mm WSON,帶外露散熱焊盤)封裝選項
參數
方框圖
一、產品概述
- ?型號?:UCC
- ?類型?:單通道、高速、低側柵極驅動器
- ?特點?:
- A峰值源和沉電流能力
- TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值
- 寬VDD工作范圍:.V至V
- 輸出在VDD欠壓鎖定(UVLO)期間保持低電平
- 低傳播延遲:典型值ns
- 反相/非反相輸入配置選項
- 未使用輸入引腳可用作使能或禁用功能
二、應用領域
三、引腳配置與功能
- ?VDD?:偏置供電輸入
- ?GND?:地,所有信號參考此引腳
- ? IN+ ?:非反相輸入,當用于反相配置時接地
- ? IN- ?:反相輸入,當用于非反相配置時接VDD
- ?OUT?:柵極驅動電流輸出
四、電氣特性
- ?VDD工作范圍?:.V至V
- ?輸入閾值?:
- VIN_H(輸入高閾值):典型值.V(VDD=V時)
- VIN_L(輸入低閾值):典型值.V(VDD=V時)
- 輸入滯回:典型值V
- ?輸出特性?:
- 峰值源/沉電流:A
- 高電平輸出電壓(VOH):I OUT = - mA時,mV至mV(VDD=.V至V)
- 低電平輸出電壓(VOL):I OUT = mA時,mV至mV(VDD=.V至V)
- ?傳播延遲?:
- IN+到輸出延遲:典型值ns(VDD=V,C LOAD = .nF)
- IN-到輸出延遲:典型值ns(VDD=V,C LOAD = .nF)
五、保護功能
- ?UVLO?:欠壓鎖定功能,當VDD電壓低于UVLO閾值時,輸出被拉低。
六、設備功能模式
- ?反相/非反相模式?:通過連接IN+或IN-到VDD或GND來選擇。
- ?使能/禁用功能?:未使用的輸入引腳(IN+或IN-)可通過連接到VDD或GND來實現使能或禁用功能。
七、典型應用
- 提供了典型應用電路圖,展示了如何使用UCC驅動功率MOSFET。
- 詳細描述了設計要求和設計過程,包括輸入輸出邏輯配置、VDD偏置供電電壓、峰值源和沉電流、傳播延遲、使能功能等考慮因素。
八、布局指南
- 推薦將驅動器盡可能靠近功率MOSFET放置,以最小化柵極驅動回路的電感。
- 推薦在VDD和GND之間放置低ESR陶瓷電容器,以改善噪聲濾波。
- 提供了布局示例和熱考慮因素。
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