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UCC27511A-Q1 具有 5V UVLO 和分離輸出的汽車類 4A/8A 單通道柵極驅動器數據手冊

科技綠洲 ? 2025-05-19 18:12 ? 次閱讀

UCC27511A-Q1 器件是一款緊湊型柵極驅動器,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立驅動器(緩沖電路)解決方案。UCC27511A-Q1 器件是一款汽車級單通道低側高速柵極驅動器,適用于 MOSFETIGBT 和 GaN 等新興寬帶隙功率器件。該器件具有快速上升時間、下降時間和傳播延遲,使 UCC27511A-Q1 器件適用于高速應用。該器件具有 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流,具有非對稱驅動功能,增強了對寄生米勒導通效應的抗擾度。分離輸出配置只需兩個電阻器即可輕松、獨立地調整上升和下降時間,無需外部二極管
*附件:ucc27511a-q1.pdf

特性

  • 適用于汽車應用
  • 符合 AEC-Q100 標準,結果如下:
    • 器件溫度等級 1:-40°C 至 125°C 環境工作溫度范圍
    • 器件 HBM ESD 分類 2 級
    • 器件 CDM ESD 分類等級 C4B
  • 低成本柵極驅動器器件,可出色地替代 NPN 和 PNP 分立解決方案
  • 4A 峰值拉電流和 8A 峰值灌電流非對稱驅動
  • 強大的灌電流提供了更強的抗米勒轉向能力
  • UCC27511A-Q1 中的分離輸出配置(允許輕松獨立地調整導通和關斷速度)
  • 快速傳播延遲 (典型值為 13ns)
  • 快速上升和下降時間(典型值為 8ns 和 7ns)
  • 4.5V 至 18V 單電源范圍
  • 在 VDD UVLO 期間,輸出保持低電平(確保在上電和斷電時無毛刺運行)
  • TTL 和 CMOS 兼容輸入邏輯閾值 (與電源電壓無關)
  • 具有高抗噪能力的遲滯邏輯閾值
  • 雙輸入設計(可選擇反相 (IN– 引腳) 或非反相 (IN+ 引腳) 驅動器配置)
    • 未使用的 Input Pin 可用于啟用或禁用功能
  • 當 Input Pins 懸空時 Output Held Low
  • 輸入引腳絕對最大電壓電平不受 VDD 引腳偏置電源電壓限制
  • 輸入引腳能夠承受低于 GND 引腳的 –5V DC 電壓
  • 工作溫度范圍為 –40°C 至 140°C
  • 6 引腳 DBV (SOT-23) 封裝選項

參數

image.png

方框圖
image.png

1. 產品概述

UCC1A-Q1是一款單通道高速低側門驅動器,專為汽車應用設計,并通過了AEC-Q0認證。該驅動器提供A峰值源電流和A峰值沉電流,適用于驅動MOSFET、IGBT及新興寬禁帶功率器件(如GaN)。

2. 主要特性

  • ?高電流驅動能力?:4A峰值源電流,8A峰值沉電流,提供不對稱驅動。
  • ?快速響應?:ns典型傳播延遲,ns上升時間和ns下降時間。
  • ?寬電壓范圍?:單一4.5V至8V供電范圍。
  • ? 低電壓鎖定(UVLO) ?:在VDD欠壓時輸出保持低電平,確保無故障啟動和關閉。
  • ?輸入邏輯兼容?:TTL和CMOS兼容輸入邏輯閾值,獨立于供電電壓。
  • ?高噪聲免疫?:滯回邏輯閾值提供高噪聲環境下的穩定性能。
  • ?雙輸入設計?:提供反相(IN-)和非反相(IN+)輸入配置,未使用輸入引腳可用于使能或禁用功能。
  • ?緊湊封裝?:提供引腳DBV(SOT-3)封裝選項,適合空間受限的應用。

3. 功能描述

3.1 VDD與UVLO

  • 內置UVLO保護功能,當VDD電壓低于閾值時,輸出保持低電平。
  • UVLO閾值為4.2V(典型值),具有mV遲滯,防止電源噪聲引起的誤動作。

3.2 輸入階段

  • 輸入邏輯閾值固定且獨立于VDD供電電壓,高閾值約為.V,低閾值約為.V。
  • 寬滯回(V典型值)提供高噪聲免疫能力。
  • 未使用輸入引腳內部上拉或下拉至固定電平,確保輸出在輸入引腳浮動時保持禁用狀態。

3.3 輸出階段

  • 采用獨特的分裂輸出配置(OUTH和OUTL),允許獨立調整開通和關斷速度。
  • 輸出電壓擺動范圍從VDD到GND,提供軌到軌操作。
  • 強沉電流能力(8A)和低下拉阻抗(.Ω典型值)提供對米勒開通效應的高免疫力。

4. 應用指南

4.1 應用信息

  • 高電流門驅動器在開關電源應用中用于實現快速切換和減少切換功率損失。
  • UCC1A-Q1適用于需要將PWM控制器信號電平轉換為適合功率開關柵極驅動電壓的應用。

4.2 典型應用

  • 提供了在功率因數校正(PFC)電源級中作為MOSFET門驅動器的典型應用電路圖。
  • 強調了布局的重要性,包括最小化高電流跡線長度、使用低電感旁路電容以及優化電流環路路徑。

5. 電源建議

  • 推薦使用.V至V的供電電壓范圍,最大不超過V(考慮V瞬態電壓尖峰)。
  • 建議在VDD和GND引腳之間放置兩個旁路電容:一個0nF的陶瓷電容靠近引腳放置,另一個幾微法的電容并聯。

6. 封裝與訂購信息

  • 提供6引腳DBV(SOT-)封裝選項。
  • 可通過TI官方網站訂購。
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