第三代半導體碳化硅器件在應用領域的深度分析
SiC（碳化硅）器件作為第三代半導體，具有禁帶寬度大、熱導率高、電子飽和遷移速率高和擊穿電場高等特性，碳化硅器件在高溫、高壓、高頻、大功率電子器件領域和新能源汽車、光伏、航天、軍工等環(huán)境應用領域有著不可替代的優(yōu)勢...以下針對SiC器件進行深度分析：
審核編輯：郭婷
聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
334文章
27711瀏覽量
222652 -
SiC
+關注
關注
29文章
2891瀏覽量
62942 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2826瀏覽量
49275
原文標題：第三代半導體：SiC碳化硅深度產業(yè)分析【推薦】
文章出處：【微信號：today_semicon，微信公眾號：今日半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
第三代半導體廠商加速出海
近年來，在消費電子需求帶動下，加上新能源汽車、數據中心、光伏、風電、工業(yè)控制等產業(yè)的興起，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導體廠商發(fā)展迅速。
第三代半導體產業(yè)高速發(fā)展
當前，第三代半導體碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率器件產業(yè)高速發(fā)展。其中，新能源汽車市場的快速發(fā)展是第三代
第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹
? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以
碳化硅功率器件有哪些應用領域
碳化硅功率器件作為下一代半導體技術的重要代表，以其優(yōu)越的性能和廣闊的應用前景，成為能源革命中的重要推動力。本文將從市場資訊的角度，深入探討碳化硅
納微半導體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認證
納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布推出符合車規(guī)認證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產品系列經過精心優(yōu)化，旨在滿足電動汽車應用的高要求，為行業(yè)帶來革
碳化硅功率器件的優(yōu)勢和應用領域
在電力電子領域，碳化硅（SiC）功率器件正以其獨特的性能和優(yōu)勢，逐步成為行業(yè)的新寵。碳化硅作為一種寬禁帶
我國首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術：開啟半導體產業(yè)新篇章
近年來，隨著科技的不斷進步，半導體技術作為現代信息技術的基石，其發(fā)展速度日新月異。在這一領域，碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，因
納微半導體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs
納微半導體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導體的行業(yè)領軍者，近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速（G3F）碳化硅MO
一、二、三代半導體的區(qū)別
在5G和新能源汽車等新市場需求的驅動下，第三代半導體材料有望迎來加速發(fā)展。硅基半導體的性能已無法完全滿足5G和新能源汽車的需求，碳化硅和氮化
發(fā)表于 04-18 10:18
?3271次閱讀
總投資32.7億！第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區(qū)啟用
2月27日，第三代半導體碳化硅材料生產基地在寶安區(qū)啟用，由深圳市重投天科半導體有限公司（以下簡稱“重投天科”）建設運營，預計今年襯底和外延產
深圳第三代半導體碳化硅材料生產基地啟用
總計投資32.7億元人民幣的第三代半導體碳化硅材料生產基地是中共廣東省委和深圳市委重點關注的項目之一，同時也是深圳全球招商大會的重點簽約項目。
簡單認識碳化硅功率器件
隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代
工商網監(jiān)
評論