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上期回顧：別讓BOOST規格書標題誤導了你

本期內容

相信大家談到升壓電路，第一反應可能就是 Boost 電路，當然，為了兼容寬輸入電壓的應用，想必工程師朋友們對于 Buck-Boost 和 SEPIC 電路也是很熟悉的。

而今天小編要為大家介紹的是一種叫做Charge Pump（電荷泵）的升壓電路，我們一起看看它的廬山真面目吧！

Charge Pump 電路所需的元器件較少，占用面積小，高效率，因此性價比很高。我們常常能在 TFT-LCD 的背光以及光模塊的應用，及 Buck 電路的上管（NMOS）的驅動中看到它的身影。

Charge Pump 倍壓輸出的工作原理

Charge Pump（電荷泵）最經典的應用莫過于倍壓輸出，其基本原理簡而言之就是對電容進行充放電，利用電容能夠儲存電荷的原理將其從充電回路隔離，通過放電回路對輸出進行放電。

首先，充電階段：Q1/Q4 導通，Q2/Q3 關斷，輸入向電容 C1 充電。

然后進入轉換階段：Q1/Q4 關斷，Q2/Q3 導通，因為電容兩端的電壓不會突變，電容 C1 向輸出電容 Co 放電，通過開關變換，實現電荷的轉移，進而實現了輸出電壓的倍壓輸出 Vo=2Vin 。

Charge Pump 在電路中的經典應用

了解了 Charge Pump 倍壓輸出的原理，接下來我們看看它在實際電路中的經典應用吧。

1 Charge Pump在Buck上管驅動中的變形應用

以 Buck 電路為例，我們知道為了驅動上管，滿足 Vgs>Vth , 我們往往需要一個自舉電路來抬升 gate 的電壓，如圖所示電容 C1 在一個開關周期內便完成了電荷的充放電過程，從而抬升了 gate 的電壓。

其實不僅是 Buck 電路中的上管驅動中的自舉電路，在全橋和半橋的上管驅動中我們也經常可以看到 Charge Pump 電路的身影的。

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Charge Pump在Boost電路中的二次升壓應用

當遇到一些升壓場合，比如在 TFT-LCD 的 VP/VN 供電中，現有 Boost 芯片的最大輸出電壓無法滿足應用需求時：

以一顆常用于 TFT 偏壓供電的芯片為例，SW 最大耐壓是25V，但輸出高于25V的應用時，輸出往往會受限。

當然工程師朋友們也可以更換耐壓更高的 IC ，但就像利物浦主教練克洛普說過 “好的球員除了貴，沒有任何缺點” 。

這個時候 Charge Pump 電路就可以完美展示它的優點，我們只需要在 Boost 的典型應用電路上增加一些元器件便可以實現 Vo2=2Vo1 。

我們可以將電路簡化如下：

在 Q1 導通的時候，C1 向 C2 傳遞能量，從而抬升 C2 的電壓，直到 V1=V2 。

在 Q1 關斷的時候，此時電容 C2 開始向輸出傳遞能量，這樣 C2 電容便充當了一個“搬運工”的角色，非常巧妙的實現了 V3=V2+V1=2V1

3

Charge Pump的負壓輸出應用

Charge Pump 電路不僅可以應用在正壓輸出，在負壓輸出的應用中, 因為所需外圍器件較少，也被廣大工程師朋友們所青睞。

當然想要獲得負壓輸出，我們也可以基于 Buck 芯片，更改成 Buck-Boost 的拓撲，以此形成負壓輸出。

但對于小電流，體積緊湊的應用里，Charge Pump 負壓輸出詮釋了真正的小身材大味道。

如上圖，僅用4個 MOS ，通過內部邏輯電路，來控制4個 MOS 的開關切換，從而便可以使 Vo=-Vin 。

這樣，器件無需任何外部電感，可以節省成本和簡化設計空間；

這種緊湊的小尺寸解決方案，適用范圍廣泛，包括光模塊、RF 放大器和傳感器電源等。

相信工程師朋友們通過以上幾個應用的學習，對于 Charge Pump 電路已經是十分熟悉了。相比傳統電感式 DC/DC ，Charger Pump 這類電容式 DC/DC 的區別可以總結為以下幾點：

工程師朋友們可以根據不同的應用需求來選擇合適的 DCDC 解決方案哦~

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往期精彩回顧

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第三季第十一話：Buck電感的計算

第三季第十話：DC-DC變換器FB分壓電阻設計

第三季第九話：合適的比例，讓效率曲線更加優美

第三季第八話：如何讓“下電”變的干凈利落

第三季第七話：淺談 POE 握手協議

第三季第六話：細分控制 --- 雙極性步進電機如何練成“凌波微步”（下篇）

第三季第五話：細分控制 --- 雙極性步進電機如何練成“凌波微步”（上篇）

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