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DS2172 BERT接口連接所有達(dá)拉斯成幀器和收發(fā)器

星星科技指導(dǎo)員 ? 來源:ADI ? 作者:ADI ? 2023-01-10 09:38 ? 次閱讀

如何將DS2172/DS21372 BERT連接至達(dá)拉斯半導(dǎo)體的所有T1/E1成幀器和單芯片收發(fā)器(SCT)。

介紹

本應(yīng)用筆記介紹了如何將達(dá)拉斯BERT連接到達(dá)拉斯成幀器/單芯片收發(fā)器(SCT)。本應(yīng)用說明適用于以下產(chǎn)品

T1 成幀器 E1 成幀器 T1 SCT E1 SCT T1/E1 SCT
DS2141 DS2143 DS2151 DS2153 DS2156
DS21Q41 DS21Q43 DS2152 DS2154 DS2155
DS21Q42 DS21Q44 DS21352 DS21354 DS21Q55
DS21FF42 DS21FF44 DS21552 DS21554 DS21455
DS21FT42 DS21FT44 DS21Q552 DS21Q554 DS21458
DS21Q352 DS21Q354

常規(guī)配置

圖1所示電路描述了將DS2172/DS21372誤碼率測試儀(BERT)連接至達(dá)拉斯半導(dǎo)體T1/E1成幀器和單芯片收發(fā)器系列的方法。此圖說明了如何在實(shí)際系統(tǒng)中使用BERT,使用多路復(fù)用器來確定是將系統(tǒng)置于測試模式并使用BERT,還是禁用BERT并發(fā)送正常數(shù)據(jù)。DS2172/DS21372的接收側(cè)可以直接連接到成幀器/SCT的接收數(shù)據(jù)流。DS21372是DS2172的3.3V版本。

poYBAGO8wZiAEX5FAAAoaQ5Yv8I081.gif?imgver=1

圖1.成幀器/SCT至DS2172/DS21372接口。

來自成幀器/SCT 的 RCHBLK 和 TCHBLK 輸出用于確定 BERT 發(fā)送或接收數(shù)據(jù)的時(shí)隙或頻段。這些引腳使用 RCHBLK/TCHBLK 寄存器進(jìn)行編程。RCHBLK/TCHBLK 引腳通常為低電平;將寄存器位寫入 1 會將引腳在該時(shí)隙內(nèi)設(shè)置為高電壓。在這種配置中,將RCHBLK和TCHBLK引腳設(shè)置為高電平可使DS2172/DS21372發(fā)送和接收數(shù)據(jù)。

圖1所示為禁用彈性存儲時(shí)的DS21x5y。如果啟用了彈性存儲,用戶將使用系統(tǒng)時(shí)鐘(TSYSCLK、RSYSCLK)作為DS2172/DS21372的輸入,而不是RCLK和TCLK。

注意:在T1成幀器/SCT中,TCHBLK/RCHBLK引腳不能配置為在F位位置期間為高電平。這意味著DS2172/DS21372無法在每幀的F位位置獲取數(shù)據(jù)。E1成幀器/SCT TCHBLK/RCHBLK 可以編程為在整個(gè)幀期間為高電平。下面列出的是上面列出的任何 E1 成幀器或任何僅限 E1 的 SCT 的 TCHBLK/RCHBLK 寄存器。

Address
(2B to 2E Hex)
(MSB) (LSB)
RCBR1 (2B) CH8 CH7 CH6 CH5 CH4 CH3 CH2 CH1
RCBR2 (2C) CH16 CH15 CH14 CH13 CH12 CH11 CH10 CH9
RCBR3 (2D) CH24 CH23 CH22 CH21 CH20 CH19 CH18 CH17
RCBR4 (2E) CH32 CH31 CH30 CH29 CH28 CH27 CH26 CH25
名字 位置 功能
CH1μ32 RCBR1.0μ4.7 接收通道阻塞控制位
0 = 強(qiáng)制 RCHBLK 引腳在此通道時(shí)間內(nèi)保持低電平 1 = 在此通道時(shí)間內(nèi)
強(qiáng)制 RCHBLK 引腳為高電平
Address
(22 to 25 Hex)
(MSB) (LSB)
TCBR1 (22) CH8 CH7 CH6 CH5 CH4 CH3 CH2 CH1
TCBR2 (23) CH16 CH15 CH14 CH13 CH12 CH11 CH10 CH9
TCBR3 (24) CH24 CH23 CH22 CH21 CH20 CH19 CH18 CH17
TCBR4 (25) CH32 CH31 CH30 CH29 CH28 CH27 CH26 CH25
名字 位置 功能
CH1μ32 TCBR1.0μ4.7 發(fā)送通道阻塞控制位
0 = 強(qiáng)制 TCHBLK 引腳在此通道時(shí)間內(nèi)保持低電平 1 = 在此通道時(shí)間內(nèi)
強(qiáng)制 TCHBLK 引腳為高電平

下面列出的是上面列出的任何 T1 成幀器或任何僅限 T1 的 SCT 的 TCHBLK/RCHBLK 寄存器。

地址
(6C 至 6E 十六進(jìn)制)
(MSB) (LSB)
RCBR1 (6C) CH8 CH7 CH6 CH5 CH4 CH3 CH2 CH1
RCBR2 (6D) CH16 CH15 CH14 CH13 CH12 CH11 CH10 CH9
RCBR3 (6E) CH24 CH23 CH22 CH21 CH20 CH19 CH18 CH17
名字 位置 功能
CH1μ24 RCBR1.0μ3.7 接收通道阻塞控制位
0 = 強(qiáng)制 RCHBLK 引腳在此通道時(shí)間內(nèi)保持低電平 1 = 在此通道時(shí)間內(nèi)
強(qiáng)制 RCHBLK 引腳為高電平
地址
(32 到 34 十六進(jìn)制)
(MSB) (LSB)
TCBR1 (32) CH8 CH7 CH6 CH5 CH4 CH3 CH2 CH1
TCBR2 (33) CH16 CH15 CH14 CH13 CH12 CH11 CH10 CH9
TCBR3 (34) CH24 CH23 CH22 CH21 CH20 CH19 CH18 CH17
名字 位置 功能
CH1μ24 TCBR1.0μ3.7 發(fā)送通道阻塞控制位
0 = 強(qiáng)制 TCHBLK 引腳在此通道時(shí)間內(nèi)保持低電平 1 = 在此通道時(shí)間內(nèi)
強(qiáng)制 TCHBLK 引腳為高電平

結(jié)論

本應(yīng)用筆記介紹了如何將成幀器/SCT連接至DS2172/DS21372 BERT。

審核編輯:郭婷

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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