助力東芯半導體“C位”出道 中國IC設計成就獎投票開啟
今年是AspenCore連續第21年舉辦IC設計調查及獎項評選，中國IC設計成就獎作為中國電子業界最具專業性和影響力的技術獎項之一是中國半導體行業1C 設計領域極具公信力的社會品牌，旨在表彰業內優秀的中國IC 設計公司、上游服務供應商和熱門IC產品。
每一屆的年度頒獎盛典也已成為了業內最值得期待的標桿活動之一。2023年中國IC設計成就獎獎項投票現已全面開啟，誠邀您參與中國電子業界最具專業性和影響力的中國IC設計成就獎獎項投票，助力東芯半導體“C位”出道。
網上投票&分析師評審
2023年1月10日-2月10日
東芯半導體入選兩項大獎，點此投票！
年度技術突破IC設計公司
存儲器--48nm 1.8V 256Mb SPI NOR Flash
東芯，為日益發展的存儲需求提供高效可靠的解決方案。
關于東芯
東芯半導體以卓越的MEMORY設計技術，專業的技術服務實力，通過國內外技術引進和合作，致力打造成為中國本土優秀的具有自主知識產權的存儲芯片設計公司。
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原文標題：中國IC設計成就獎投票現已全面開啟，助力東芯半導體“C位”出道
文章出處：【微信號：東芯半導體，微信公眾號：東芯半導體】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
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