氮化鎵（GaN）是一種直接帶隙半導(dǎo)體，寬帶隙為3.4 eV（電子伏特），比砷化鎵（GaAs）寬2.4倍，比硅寬3倍。具有禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、飽和電子速率大、熱導(dǎo)率高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定和抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，成為高溫、高頻、大功率微波器件的優(yōu)選材料之一，其目前主要用于功率器件領(lǐng)域，在高頻通信領(lǐng)域也將有極大應(yīng)用潛力。

在技術(shù)發(fā)展前景方面，氮化鎵半導(dǎo)體仍將是全球主要國家的科技攻關(guān)重點(diǎn)方向，預(yù)計(jì)未來全球氮化鎵行業(yè)將迎來一段技術(shù)快速發(fā)展期。在市場(chǎng)前景方面，氮化鎵是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，在光電子、激光器、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。預(yù)計(jì)到2026年全球氮化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將增長到423億美元，年均復(fù)合增長率約為13.5%。

氮化鎵用途有哪些方面

1、射頻器件方面

射頻氮化鎵器件主要應(yīng)用于5G基站、衛(wèi)星、雷達(dá)等領(lǐng)域。

2、功率器件方面

功率氮化鎵器件主要應(yīng)用于快充、逆變器、汽車電子電源開關(guān)、高端服務(wù)器領(lǐng)域。

文章整合自：新世界、microsemi、財(cái)經(jīng)密探者