在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

從原子角度揭示單晶與多晶的氧空位形成機理

清新電源 ? 來源:清新電源 ? 2023-03-07 14:22 ? 次閱讀

研究背景

富鎳正極材料是高能量密度鋰離子電池中最有應用前景的材料之一。然而,這種材料固有的熱不穩定性增加了熱失控的風險,這對其最終的商業化是一個重大障礙。目前,晶體結構對富鎳正極熱穩定性影響的深層機理尚不清楚。

成果簡介

近日,中國科學技術大學王青松教授,利用一系列先進的物理化學表征工具,結合理論計算,從多維角度研究了多晶和單晶NCM811正極的熱降解行為,報道了多晶和單晶正極的不同降解途徑,并從原子尺度上探討了單晶結構對正極熱穩定性的增強機理。結果表明,單晶NCM811顆粒具有更大的晶粒尺寸和更好的完整性,有效地延緩了高溫下氧空位的形成。因此,在加熱過程中,單晶NCM811顆粒的氧空位更不易擴散,從而延緩了其晶格結構的降解和氧的釋放。

研究亮點

從原子尺度揭示了單晶和多晶富鎳正極的不同熱失效模式。

單晶正極顆粒有效地限制了氧空位在熱感應作用下的內動力學擴散。

為高溫下富鎳正極材料的熱失效機理提供了基礎性的理論依據。

圖文導讀

氧空位和TM價態的演變

利用同步輻射的軟X射線吸收光譜(sXAS)研究了多晶(PC-NCM811)和單晶(SC-NCM811)在不同溫度下的表面氧空位和TM陽離子的演化。如圖1(a-b)所示,O K邊的近邊緣峰主要位于528-534 eV處,這與O2p-TM3d的雜化狀態有關,534 eV以上的寬峰對應于O2p-TM4sp的雜化狀態。在兩種正極材料中,近邊緣峰的強度隨著溫度的升高而減小,這意味著氧空位的形成和積累,以及O2p和TM3d軌道雜化程度的減弱。

通過對近邊緣峰的強度進行積分,如圖1(c)所示,可以明顯看到PC-NCM811的O K近邊緣峰的強度在150 ℃后顯著降低,而SC-NCM811的強度在200 ℃后顯著降低。相比之下,SC-NCM811在較高的溫度下才釋放氧并形成氧空位,表明其穩定性較好。

如圖1(d-e)所示,Ni L邊的雙峰對應于2p3/2→3d的躍遷,而L3high/L3low的比值與Ni的氧化態有關,比值越低,說明Ni的價態越低。數據顯示,在兩種正極材料中,隨著溫度的升高,L3high/L3low的比值逐漸降低,意味著Ni的價態越低,表明N4+和Ni3+更有可能被還原為Ni3+和Ni2+。如圖1(f)所示,,PC-NCM811的L3high/L3low的比值在150 ℃時開始<1,而SC-NCM811的L3high/L3low的比值在200 ℃時仍然>1,表明SC-NCM811的Ni還原度較低,這與氧空位的變化正好吻合。

此外,Co的L3峰向低能量方向的轉變意味著Co含量的降低。如圖1(g-i)所示,隨著溫度的升高,PC-NCM811的L3峰位移了0.59 eV,SC-NCM811的L3峰位移了0.27 eV根據此結果得出,在相同的溫度范圍內,PC-NCM811中的Co含量降低幅度更大。

眾所周知,Mn的穩定性較好。如圖1(j-l)所示,在25-250 ℃的范圍內,其L3雙峰變化不多,表明Mn沒有減少在很大程度上,所以氧空位的形成主要與Ni的價態降低與Co的含量降低有關。

e3ea5c12-bbe5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖1. (a-c) O k邊sXAS光譜和預邊緣歸一化面積, (d-f) Ni L邊sXAS光譜和L3high/L3low比值, (g-i) Co L邊 sXAS光譜和能量位移, (j-l) Mn L邊sXAS光譜和L3high/L3low比值。

熱誘導條件下晶格結構的轉變

當氧從晶格中逸出時,在層狀結構中引起陽離子無序,從而促進相變,導致晶格結構的惡化。原位高溫XRD可以為PC和SC陰極粉末在中尺度上的平均結構演化提供一個清晰的路徑,允許對其結構穩定性進行更深入的比較

原子尺度上的結構演變

利用聚焦離子束掃描電子顯微鏡(FIB-SEM)和高角度環形暗場掃描透射電子顯微鏡(HAADF-STEM)可以在原子水平上探測正極顆粒的內部結構變化。

如圖2(a-e)所示,在100 ℃下,鋰層中出現了許多亮點,表明鋰層已經被部分TM原子占據,FFT圖也證實了局部區域存在陽離子混排以及層狀和尖晶石的混合相,這意味著相轉變在100 ℃時已經發生。但是,顆粒內部陽離子混排的程度小于外部顆粒。如圖2(f-j)所示,在200 ℃時,PC-NCM811表層中的晶粒已完全轉化為尖晶石,而體相中的晶粒仍處于層狀和尖晶石的混合相。

如圖2(k-o)所示,當溫度升高到300 ℃時,PC-NCM811表層中的晶粒仍保持在尖晶石相,內部顆粒完全從混合相轉變為尖晶石相。如圖2(p-t)所示,當溫度升高到400 ℃時,PC-NCM811內外顆粒的晶格結構均轉變為巖鹽相。表明,PC-NCM811中內外顆粒的晶體結構轉變不一致,內部顆粒的相變程度低于外部顆粒,且滯后于外部顆粒。

e3fd421e-bbe5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖2. (a-e)100 ℃,(f-j)200 ℃,(k-o) 300℃,(p-t) 400 ℃下PC-NCM811正極的HAADF-STEM圖和相應的FFT圖

如圖3(a-e)所示,在100 ℃下,SC-NCM811顆粒內外仍具有良好的層狀結構,如圖3(f-j)所示,,在200 ℃時,SC-NCM811內外區域的晶面取向一致,均呈現層狀和尖晶石的混合相。如圖3(k-o)所示,當溫度升高到300 ℃時,SC-NCM811內外區域從混合相過渡到尖晶石相。如圖3(p-t)所示,當溫度升高到400 ℃時,SC-NCM811內外區域也顯示為巖鹽相。

e4c23b46-bbe5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖3. (a-e)100 ℃,(f-j)200 ℃,(k-o) 300℃,(p-t) 400 ℃下SC-NCM811正極的HAADF-STEM圖和相應的FFT圖

簡而言之,SC-NCM811的晶格結構穩定性比PC-NCM811強,且SC-NCM811內外區域的相變過程相對一致,這主要是由于SC-NCM811形成的氧空位較少,限制了TM的價態降低和離子遷移,提升了晶格結構的穩定性。

氧空位濃度的分布

為了探究不同位置的氧空位濃度分布,作者進行EELS線掃描模式得到的O k邊譜,并繪制等高線圖,從而直觀地觀察氧空位濃度的徑向分布。氧空位濃度是由O k前邊緣峰(~532 eV)和主峰(~542 eV)之間的能量位置差ΔE決定的,ΔE值越小,氧空位濃度越高。

如圖4a-c和4f-g所示,在100-200 ℃時,PC-NCM811表面和體相的ΔE值都較低,意味著材料氧空位濃度較低。此外,值得注意的是,在一次顆粒內部,ΔE的差異較小,這是由于顆粒粒徑較小時,氧空位可以快速擴散。隨著溫度的升高,在300 ℃時(如圖4d和4h所示),PC-NCM811內部顆粒和外部顆粒中的ΔE值均有所下降,氧空位濃度均有所增加,但內部顆粒仍小于外部顆粒,說明外部顆粒的氧空位濃度增加的速度更為顯著。當溫度進一步升高到400 ℃時(如圖4e和4i所示)內外顆粒的ΔE均在8-9 eV范圍內,說明整個二次顆粒的氧空位濃度較高,釋放了大量的氧。

與PCNCM811不同,SC-NCM811是一個完整的單晶顆粒,晶粒尺寸大,內部沒有晶界,因此作者直接探索從其表面到體相的氧空位濃度分布。

在100-200 ℃時,如圖4j-l所示,ΔE在表面和體相間差異不大,它們的氧空位濃度均處于較低水平。隨著溫度升高,在300 ℃時,SC-NCM811的ΔE從表面到體相呈現梯度分布,反映了材料表層和表下層中氧空位濃度的顯著增加,表明單晶顆粒中氧空位的熱誘導擴散是從表面到體相的。但是,由于SC-NCM811較大的顆粒尺寸,氧空位不能像PC-NCM811中的一級粒子那樣快速擴散,因此體積中氧空位的濃度仍然較低。

當溫度進一步升高到400 ℃時,如圖4n所示,氧空位濃度在徑向上仍呈梯度分布。體相中的ΔE從11-12 eV下降到9-10 eV,意味著體相中的氧空位濃度也增加了。然而,與PC-NCM811相比,SC-NCM811大部分的氧空位濃度仍然較低,這意味著單晶材料中的熱失效程度更小。

e61a60fe-bbe5-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

圖4. 不同溫度下 (a-i) PC-NCM811和 (j-n) SC-NCM811顆粒中的EELS線掃描示意圖和O k邊能量位置差ΔE的等高線圖

總結與展

PC-NCM811中較小的一次顆粒更有利于氧空位的形成和擴散,從而協助TM的跨層遷移和氧的釋放。SC-NCM811具有良好的完整性和較大的粒徑,降低了TMs的形成和表面氧空位的形成,有效地阻礙了氧空位從表面到體的擴散過程,從而延緩了結構降解和氧的釋放。這項工作很好地補充了以往缺乏從原子水平上對單晶和多晶材料熱失效機理的研究,并為高溫下富鎳正極材料的熱失效機理提供了基礎性的理論依據。即,可以優化正極顆粒的結構組成和晶粒尺寸,以獲得更優的電化學性能和熱穩定性。






審核編輯:劉清

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 鋰離子電池
    +關注

    關注

    85

    文章

    3330

    瀏覽量

    78732
  • SEM
    SEM
    +關注

    關注

    0

    文章

    257

    瀏覽量

    14793
  • XRD
    XRD
    +關注

    關注

    0

    文章

    133

    瀏覽量

    9880
  • NCM811
    +關注

    關注

    0

    文章

    6

    瀏覽量

    1472

原文標題:中科大王青松教授:從原子角度揭示單晶與多晶的氧空位形成機理

文章出處:【微信號:清新電源,微信公眾號:清新電源】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    單晶片電阻率均勻性的影響因素

    直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結晶生長為固態的單晶硅的過程,沒有雜質的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導電,沒有市場應用價值,因此通過人為的摻雜進行雜質引入,我們可以改變、控制
    的頭像 發表于 05-09 13:58 ?184次閱讀
    硅<b class='flag-5'>單晶</b>片電阻率均勻性的影響因素

    LPCVD方法在多晶硅制備中的優勢與挑戰

    本文圍繞單晶硅、多晶硅與非晶硅三種形態的結構特征、沉積技術及其工藝參數展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優勢與挑戰,并結合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解硅材料在先進微納制造中的應用與工藝演進路徑。
    的頭像 發表于 04-09 16:19 ?528次閱讀
    LPCVD方法在<b class='flag-5'>多晶</b>硅制備中的優勢與挑戰

    芯片制造中的多晶硅介紹

    多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅(如硅襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存
    的頭像 發表于 04-08 15:53 ?703次閱讀
    芯片制造中的<b class='flag-5'>多晶</b>硅介紹

    N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對含量的影響

    本文介紹了N型單晶硅制備過程中拉晶工藝對含量的影響。
    的頭像 發表于 03-18 16:46 ?408次閱讀
    N型<b class='flag-5'>單晶</b>硅制備過程中拉晶工藝對<b class='flag-5'>氧</b>含量的影響

    大尺寸單晶金剛石襯底制備技術突破與挑戰

    ,碳原子密度 1.77×1023 cm-3, 碳-碳鍵長?0.154 nm, 鍵角 109°28′, 這種緊密堆積的結構使得金剛石擁有 348 kJ/mol 的高鍵能, 也由此賦予其諸多優異的性質,使其在各種極端環境下的應用獨占鰲頭。? 由表可見, 單晶金剛石具有超寬的禁
    的頭像 發表于 03-08 10:49 ?512次閱讀
    大尺寸<b class='flag-5'>單晶</b>金剛石襯底制備技術突破與挑戰

    賓夕法尼亞大學:開發出揭示原子信號的新型量子傳感技術

    自 20 世紀 50 年代以來,科學家們一直利用無線電波來揭示未知材料的分子 “指紋”,幫助完成各種任務,如用核磁共振成像儀掃描人體和在機場檢測爆炸物。 然而,這些方法依賴的是數萬億原子發出的平均
    的頭像 發表于 03-05 18:31 ?210次閱讀
    賓夕法尼亞大學:開發出<b class='flag-5'>揭示</b>亞<b class='flag-5'>原子</b>信號的新型量子傳感技術

    單晶圓系統:多晶硅與氮化硅的沉積

    本文介紹了單晶圓系統:多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導體制造領域,單晶圓系統展現出獨特的工藝優勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠實現臨場的
    的頭像 發表于 02-11 09:19 ?410次閱讀
    <b class='flag-5'>單晶</b>圓系統:<b class='flag-5'>多晶</b>硅與氮化硅的沉積

    為什么采用多晶硅作為柵極材料

    本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
    的頭像 發表于 02-08 11:22 ?517次閱讀
    為什么采用<b class='flag-5'>多晶</b>硅作為柵極材料

    什么是原子層刻蝕

    原子層為單位,逐步去除材料表面,從而實現高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD(原子層沉積)相對,一個是逐層沉積材料,一個是逐層去除材料。 ? 工作原理 ALE 通常由以下兩個關鍵階段組成: ? 表面活化階段:使用氣相前體或等離子體激活表面,
    的頭像 發表于 01-20 09:32 ?465次閱讀
    什么是<b class='flag-5'>原子</b>層刻蝕

    多晶氧化物中的晶界和異質界面概念、形成機理以及如何表征

    本文介紹了多晶氧化物中的晶界和異質界面的概念、形成機理以及如何表征。 固-固界面是材料科學領域的核心研究對象,這些界面不僅存在于多晶體材料中,還廣泛分布于各類薄膜結構中。由于界面處存在
    的頭像 發表于 12-06 16:31 ?1962次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶</b>氧化物中的晶界和異質界面概念、<b class='flag-5'>形成</b><b class='flag-5'>機理</b>以及如何表征

    金剛石多晶材料:高功率器件散熱解決方案

    功率器件散熱材料的理想選擇。 金剛石多晶材料的特點 多晶結構:金剛石多晶材料由多個微小的金剛石晶粒組成,具有各向同性的熱導率和機械性能。 成本較低:與天然單晶金剛石相比,金剛石
    的頭像 發表于 11-27 16:54 ?1067次閱讀

    多晶硅生產過程中硅芯的作用

    ? ? ? ?多晶硅還原爐內,硅芯起著至關重要的作用。?? 在多晶硅的生長過程中,硅芯的表面會逐漸被新沉積的硅層所覆蓋,形成多晶硅晶體,它主要作為沉積硅材料的基礎。硅芯的表面是化學反應
    的頭像 發表于 11-14 11:27 ?700次閱讀

    多晶硅柵工藝的制造流程

    與亞微米工藝類似,多晶硅柵工藝是指形成 MOS器件的多晶硅柵極,柵極的作用是控制器件的關閉或者導通。淀積的多晶硅是未摻雜的,它是通過后續的源漏離子注入進行摻雜,PMOS 的柵是p型摻雜
    的頭像 發表于 11-07 08:58 ?1403次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶</b>硅柵工藝的制造流程

    天然吧負離子監測設備:守護清新之源的科技精靈

    在那些被稱為“天然吧”的地方,天然吧負離子監測設備WX-FZ5宛如神秘而又忠誠的守護者,默默發揮著至關重要的作用。功能角度來看,它擁
    的頭像 發表于 10-18 10:10 ?476次閱讀
    天然<b class='flag-5'>氧</b>吧負<b class='flag-5'>氧</b>離子監測設備:守護清新之源的科技精靈

    多晶硅柵耗盡效應簡述

    當柵與襯底之間存在壓差時,它們之間存在電場,靜電邊界條件使多晶硅靠近氧化層界面附近的能帶發生彎曲,并且電荷耗盡,從而形成多晶硅柵耗盡區。該耗盡區會在多晶硅柵與柵氧化層之間產生一個額外的
    的頭像 發表于 08-02 09:14 ?4952次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶</b>硅柵耗盡效應簡述
    主站蜘蛛池模板: 一本到在线观看视频不卡 | 一区二区三区视频在线观看 | 模特精品视频一区 | 黄色工厂在线播放 | 一区二区三区四区免费视频 | 天天看毛片 | 黄色在线播放网址 | 色综合天天网 | 奇米欧美成人综合影院 | 久久香蕉精品视频 | 国产精品资源在线观看网站 | 黄页网址免费观看18网站 | 日本一区二区三区欧美在线观看 | 日韩a无吗一区二区三区 | 日韩美女三级 | 国产黄网站 | 97国产精品人人爽人人做 | 天天在线天天综合网色 | 国产黄色高清视频 | 3344免费播放观看视频 | 在线观看免费黄视频 | 日本加勒比在线播放 | 性夜黄a爽影免费看 | 国产高清一区二区三区四区 | 欧美香蕉视频 | 一级毛片在线看在线播放 | 2022年国产精品久久久久 | 午夜黄网 | 2021成人国产精品 | 午夜爱爱毛片xxxx视频免费看 | 免费在线观看污视频 | 日本a级影院 | 2017av在线| 亚洲国产精品丝袜在线观看 | 亚洲一区二区三区在线播放 | 免费在线播放毛片 | 成人影院免费观看 | 好看的一级毛片 | 久久久婷婷亚洲5月97色 | 久久99国产亚洲高清观看首页 | 国产精品久久久久久一级毛片 |