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ESD與EOS在實際情況中的失效表現

actSMTC ? 來源:新陽檢測中心 ? 2023-03-16 15:43 ? 次閱讀
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ESD

靜電釋放導致的失效主要表現為

即時失效與延時失效兩種模式。

即時失效

即時失效又稱突發失效,指的是元器件受到靜電放電損傷后,突然完全或部分喪失其規定的功能。一般較容易通過功能檢測發現。

延時失效

延時失效又稱潛在失效,指靜電放電能量較低,或放電回路有限流電阻,僅造成輕微損傷,器件電參數可能仍然合格或略有變化。

一般不容易通過功能檢測發現,而且失效后很難通過技術手段確認。

典型案例

#案例1

失效圖示

30cdd650-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.jpg

試驗復現

30f47a76-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

結論

不良發生位置集中于CF表偏貼合端子部的左邊,距離離子棒約50cm。因距離過大,離子棒對此位置的除靜電能力有弱化。

#案例2

失效圖示

312b8e26-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

試驗復現

3152da62-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

結論

經過靜電耐圧試驗發現,樣品1在兩種破壞類型中,情況分別為:

1.機器模型:使用2-3kV ESD痕跡發生;

2.人體模型:使用3-4kV ESD痕跡發生;

樣品2在兩種破壞類型中,情況分別為:

1.機器模型:使用12-14kV ESD痕跡發生;

2.人體模型:使用24-28kV ESD痕跡發生。

案例分享

EOS

過電壓,過電流

過功率,過電燒毀

失效表現

EOS的碳化面積較大,一般過功率燒毀會出現原始損傷點且由這點有向四周輻射的裂紋,且多發于器件引腳位置。

典型案例

#案例1MCU芯片信號短路分析

失效圖示

318a0834-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png31bd383a-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png31c5ade4-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

說明: 空洞異常處有因局部受熱造成的表面樹脂碳化現象,周邊樹脂出現裂紋。

試驗復現

33e25d84-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png34224b74-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png344fc02c-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

驗證方法:使用正常樣品在兩個引腳上分別接入12V電源正負極進行復現試驗。

結論

接上12.0V電源瞬間,兩電極之間有被燒壞的聲音,電流瞬間升高,電壓下降。兩引腳之間阻抗測試顯示為OL,說明二者之間經過反接12V電壓被大電流瞬間擊穿斷開。

#案例2

TVS管失效分析

失效圖示

3529f134-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

35495ad8-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

說明:樣品開封發現樣品晶圓位置均發現有燒傷痕跡,擊穿位置樹脂高溫碳化,為過流過壓導致。

試驗復現

TVS管擊穿FA分析圖

3572fae6-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

37615082-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

左右滑動查看圖集

擊穿驗證之后進行開封檢測,發現復現樣品晶圓位置均發現有燒傷痕跡,與異常品失效發生類似。

387d6014-c3cd-11ed-bfe3-dac502259ad0.png

結論

晶圓表面發現有過流過壓擊穿的痕跡,即樹脂高溫碳化;

DC直流電源加壓到18V,TVS管被擊穿短路,復現品晶圓位置失效與異常品類似。

9V樣品取下濾波電容,使其輸出不穩定,TVS被擊穿,短路失效。

據此判斷,TVS管為過壓導致失效,樣品輸出不穩定時有擊穿TVS管的可能。





審核編輯:劉清

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原文標題:ESD與EOS失效案例分享

文章出處:【微信號:actSMTC,微信公眾號:actSMTC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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