存儲器是集成電路領城的通用器件，其市場用量巨大，從類型上分為 ROM、EPROM、E2PROM、SRAM、 DRAM、FLASH 等。半導體存儲器具有極其復雜的高密度的結構和高精密時序的功能。存儲器測試技術的演變是由故障模型的變化決定的，一旦確定了存儲器設計、制造技術的故障模型集合，就可以開發(fā)適當的測試模式與策略。

存儲器的故障可分為永久性故障和暫時性故障。表中列出了可能發(fā)生的存儲器功能故障。

上表中列出的 16種故障可以歸并為4 類，即固定故障、轉換故障、地址故障和男合故障。存儲器測試主要采用一定的測試圖案來檢測相應的故障，下表為目前行業(yè)內主要采用的存儲器測試圖案與故障模型對應關系表。

單獨的半導體存儲器可以利用存儲器專用測試設備進行測試，該設備通常包含硬件算法圖形生成器 ( Algorithmnic Pattern Generator, APG),具有算術邏輯單元 （Arithmetic Logic Unit, AIU)，可以實時處理地址的運算，并且根據算法實時生成相應測試圖案。圖所示為半導體存儲器專用測試設備基本架構。

由于嵌人式存儲器不易直接測試，目的主要采用內建自測試（BIST）解決方案。存儲器 BIST 結構為存儲器提供激勵、數據壓縮比較能力，通常內建冗余分析（Built-In Redundancy Analysis, BIRA）模塊或內建自修復 （Built-In Self-Repair， BISR)模塊，可以將測試結果存儲到芯片上，并具備冗余修復功能。

由于半導體存儲器容量越來越大，測試時間越來越長，導致測試成本居高不下。除BIST 內部全速測試方案外，日前片外測試主要采用的是并行測試方案。據國際半導體技術路線圖組織公布，近年米 DRAM、Flash 產業(yè)化測試中已實現超過 256 個工位的并行測試。

審核編輯 ：李倩