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      AMEYA360：羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

      皇華ameya ? 來源：年輕是一場旅行 ? 作者：年輕是一場旅行 ? 2023-06-19 15:09 ? 次閱讀
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      ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD保護和出色的散熱性能，方便安裝。應用包括高開關頻率和高密度轉換器。文章來源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html

      wKgaomSP_x6ABta6AAFOB9pdyAM711.png

      特性

      》650V E模式GaN FET

      》低導通電阻

      》高速開關

      》內置ESD保護

      》高度可靠的設計

      》幫助減少電源轉換效率和尺寸

      》出色的散熱性能

      》符合RoHS標準

      應用

      》高開關頻率轉換器

      》高密度轉換器

      規范

      》GNP1070TC-Z

      》DFN8080K封裝類型

      》連續漏極電流范圍：7.3A至20A

      》脈沖漏極電流范圍：24A至66A

      》漏源電壓：650V

      》瞬態漏源電壓：750V

      》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

      》瞬態柵源電壓：8.5V

      》+25℃時功耗：56W

      》柵極輸入電阻：0.86Ω(典型值)

      》輸入電容：200pF(典型值)

      》輸出電容：50pF(典型值)

      》輸出電荷：44nC

      》總柵極電荷：5.2nC(典型值)

      》典型接通延遲時間：5.9ns

      》典型上升時間：6.9ns

      》典型關閉延遲時間：8.0ns

      》典型下降時間：8.7ns

      》GNP1150TCA-Z

      》DFN8080AK封裝樣式

      》連續漏極電流范圍：5A至11A

      》脈沖漏極電流范圍：17A至35A

      》漏源電壓：650V

      》瞬態漏源電壓：750V

      》柵源電壓范圍：-10VDC 至+6VDC

      》瞬態柵源電壓：8.5V

      》+25℃時功耗：62.5W

      》柵極輸入電阻：2.6Ω(典型值)

      》輸入電容：112pF(典型值)

      》輸出電容：19pF(典型值)

      》輸出電荷：18.5nC

      》典型總柵極電荷：2.7nC

      》典型接通延遲時間：4.7ns

      》典型上升時間：5.3ns

      》典型關閉延遲時間：6.2ns

      》典型下降時間：8.3ns

      審核編輯黃宇

      聲明：本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內容侵權或者其他違規問題，請聯系本站處理。 舉報投訴
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