附錄A 4H-SiC中的不完全雜質(zhì)電離
附錄
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
碳化硅
+關(guān)注
關(guān)注
25文章
2980瀏覽量
49941
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦
全球功率半導(dǎo)體變革:SiC碳化硅功率器件中國龍崛起
功率器件變革中SiC碳化硅中國龍的崛起:從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)
為什么碳化硅Cascode JFET 可以輕松實(shí)現(xiàn)硅到碳化硅的過渡?
,碳化硅具備多項(xiàng)技術(shù)優(yōu)勢(圖1),這使其在電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心,以及直流快充、儲能系統(tǒng)和光伏逆變器等能源基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域嶄露頭角,成為眾多應(yīng)用中的新興首選技術(shù)。 表1 硅
發(fā)表于 03-12 11:31
?523次閱讀

SiC碳化硅MOSFET功率器件雙脈沖測試方法介紹
碳化硅革新電力電子,以下是關(guān)于碳化硅(SiC)MOSFET功率器件雙脈沖測試方法的詳細(xì)介紹,結(jié)合其技術(shù)原理、關(guān)鍵步驟與應(yīng)用價(jià)值,助力電力電子

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析
碳化硅(SiC)功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性,在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而,要充分發(fā)揮SiC
產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用
*附件:國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
發(fā)表于 01-20 14:19
什么是MOSFET柵極氧化層?如何測試SiC碳化硅MOSFET的柵氧可靠性?
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步,碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞,成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件
發(fā)表于 01-04 12:37
磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅晶片研磨質(zhì)量有哪些影響
磨料形貌及分散介質(zhì)對4H碳化硅(4H-SiC)晶片研磨質(zhì)量具有顯著影響。以下是對這一影響的詳細(xì)分析:
一、磨料形貌的影響
磨料形貌是研磨過程中影響4H-SiC晶片質(zhì)量的關(guān)鍵因素之一。

碳化硅SiC在光電器件中的使用
。 高熱導(dǎo)率 :SiC的熱導(dǎo)率是Si的三倍以上,有助于器件的散熱。 高電子飽和速度 :SiC的電子飽和速度高于Si,適合于高速電子器件。 化學(xué)穩(wěn)定性 :
碳化硅SiC在電子器件中的應(yīng)用
隨著科技的不斷進(jìn)步,電子器件的性能要求也日益提高。傳統(tǒng)的硅(Si)材料在某些應(yīng)用中已經(jīng)接近其物理極限,尤其是在高溫、高壓和高頻領(lǐng)域。碳化硅(SiC)作為一種寬帶隙(WBG)半導(dǎo)體材料,
碳化硅SiC材料應(yīng)用 碳化硅SiC的優(yōu)勢與性能
碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料,尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。
碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率

碳化硅功率器件的工作原理和應(yīng)用
碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、

碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用
碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,

碳化硅(SiC)功率器件的開關(guān)性能比較
過去十年,碳化硅(SiC)功率器件因其在功率轉(zhuǎn)換器中的高功率密度和高效率而備受關(guān)注。制造商們已經(jīng)開始采用碳化硅

評論