PN8680M低功耗電源芯片是一款高性能的原邊反饋控制器。PN8680M工作在原邊檢測和調整模式，可省略系統的光耦和TL431。PN8680M低功耗電源芯片擁有恒壓恒流控制環路，可以實現高精度的恒壓、恒流輸出，以滿足大部分充電器和適配器需求。驪微電子12V開關控制芯片PN8680M內置高壓啟動電路和極低的芯片功耗使得系統能夠滿足較高的待機功耗標準。

1.高壓啟動控制：PN8680M低功耗電源芯片在啟動階段，采用高壓啟動技術，芯片啟動前2.0mA電流源為內部偏置電路供電并給外部VDD電容充電，快速啟動。當VDD電壓達到VDDon，芯片開始工作的同時高壓啟動電路關斷；只要VDD電壓不低于VDDoff，芯片維持正常工作。啟動后，偏置電路通過輔助源供電，同時啟動電路只有一路極小的電流，實現低損耗。

2.CC 工作模式：在CC工作狀態，高效率電源芯片PN8680M采樣FB引腳的信號（由輔助繞組信號通過電阻分壓），輔助繞組信號脈寬決定振蕩頻率。輸出電壓越高，脈寬越小，同時振蕩頻率越高，這樣可獲得恒定的輸出電流。

3.CV 工作模式：在CV工作狀態，高效率電源芯片PN8680M使用脈沖采樣VFB電壓，并保持到下個采樣點。將采樣的電壓和VREF_CV基準比較，并放大誤差。這個誤差值代表負載情況，通過控制開關信號，調節輸出電壓，使得輸出恒定。

4.電流檢測和前沿消隱：PN8680M低功耗電源芯片提供逐周期電流檢測功能。芯片通過CS引腳的電阻檢測功率管電流，CC模式設置點和輸出功率都通過外部調整CS引腳上的電阻實現。功率管開通瞬間會產生尖峰電壓，內部前沿消隱電路可防止誤觸發而不需要額外的RC濾波電路。

5.可編程線纜補償功能：線纜補償模塊通過FB引腳輸出一路補償電流，流入分壓電阻，如圖3所示，改變電壓反饋值，可以使輸出線損壓降得到補償。當負載從滿載減小到空載時，線損壓降也同樣減小。PN8680M低功耗電源芯片通過設置FB電阻的阻值可以調整線補償的幅度。

6.基準負溫度補償：高效率電源芯片PN8680M的VREF_CV電壓基準采用負溫度補償技術，常溫下，VREF_CV電壓基準為2.5V；芯片溫度上升時，VREF_CV電壓基準值隨著溫度上升而變小，可以使△V隨著溫度上升而變小得到補償，讓輸出電壓Vo在全溫度范圍內恒定，提高了恒壓輸出精度。

7.保護控制：PN8680M低功耗電源芯片含有豐富的保護功能，包括：逐周期過流保護、過壓保護、過溫保護、開環保護、輸出短路保護、CS電阻開/短路保護、VDD欠壓鎖定保護功能，并且這些保護具有自恢復模式。

PN8680M原邊反饋低功耗電源芯片集成超低待機功耗原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，可省略光耦和TL431，常用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源，如果需要PN8680M高效率低功耗電源芯片PN8680M產品的詳細手冊或其他資料，請向驪微電子申請。>>