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國芯思辰|1200V/5A碳化硅肖特基二極管B1D05120K(替代科銳C4D05120A)用于電動車充電

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2022-08-10 09:31 ? 次閱讀

充電器與蓄電池有著密切的聯(lián)系,充電器的好壞直接影響蓄電池性能和使用壽命。本文的方案中提到基本半導體的SiC半導體器件,可為車載電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)提供最高的功率密度和耐用性,非常適合車外充電和其他戶外應用。

電動車充電

如下圖所示,將快速恢復二極管肖特基二極管作為整流二極管使用。

電動車充電一般原理圖

據(jù)此,本文提到基本半導體的碳化硅肖特基二極管B1D05120K,具有高效率、無開關損耗、低散熱器要求和并聯(lián)設備無熱失控現(xiàn)象等優(yōu)點,起到整流作用,可應用于開關電源(SMPS)等領域。首先,在電氣特性方面,B1D05120K最大額定值為1200V,最大持續(xù)電流為5A(@160°C),重復峰值正向浪涌電流最大額定值為30A,完全滿足電動機驅(qū)動的電氣要求,可靠用非常高。

B1D05120K電路圖

其次,B1D05120K總電容電荷典型值僅分別為32nC,可以大大提高電路開關效率,基本上沒有開關損耗。同時,在常溫下,導通正向電壓典型值僅為1.4V(2A、25℃時),總功耗為129W(@25℃)。相對其他同類產(chǎn)品來說導通特性好、損耗小、功率效率更高,具有更高的穩(wěn)定性。

此外,B1D05120K碳化硅肖特基二極管的工作溫度和儲存溫度范圍都為-55℃~+175℃,滿足的電動車充電工作環(huán)境。熱阻典型值為1.16K/W,可確保系統(tǒng)不會因為損耗過大導致結(jié)溫過高而損壞芯片,更好的應用于高溫環(huán)境。值得一提的是,采用了TO-220-2小尺寸封裝方式,可以直接利用PCB散熱,不僅無需額外的散熱器,還節(jié)省了電動車充電系統(tǒng)的空間。

B1D05120K性能優(yōu)越,可完美替代科銳的C4D05120A、羅姆的SCS205KG、英飛凌的IDH05G120C5、意法半導體的STPSC5H12D、安森美的FFSP05120A。

綜上所述,基本半導體的B1D05120K碳化硅肖特基二極管具有高頻率、低損耗、小封裝等優(yōu)勢,為電動車充電提供解決方案。

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