新能源汽車電機(jī)控制器是控制新能源汽車核心動(dòng)力的大腦，而新能源汽車的核心動(dòng)力系統(tǒng)是電機(jī)控制器上由硅原料加工制作而成的IGBT半導(dǎo)體功率器件。

但是由于材料限制，傳統(tǒng)硅基功率器件在許多方面逐步逼近甚至已達(dá)到其材料的極限。以碳化硅為代表的半導(dǎo)體材料正以其卓越的性能吸引著廣大制造商，本文推薦基本半導(dǎo)體第二代碳化硅MOSFET B2M065120H用于新能源汽車的電機(jī)控制器，該器件比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開(kāi)關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。

基本半導(dǎo)體自2017年開(kāi)始布局車用碳化硅器件研發(fā)和生產(chǎn)，目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計(jì)、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動(dòng)應(yīng)用等核心技術(shù)，申請(qǐng)兩百余項(xiàng)發(fā)明專利，產(chǎn)品性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。

基本半導(dǎo)體B2M065120H具有更低的比導(dǎo)通電阻，通過(guò)綜合優(yōu)化芯片設(shè)計(jì)方案，比導(dǎo)通電阻降低約40%，產(chǎn)品性能顯著提升，且具有非常低的開(kāi)關(guān)損耗，B2M065120H器件Qg降低了約60%，開(kāi)關(guān)損耗降低了約30%，反向傳輸電容Crss降低，提高器件的抗干擾能力，降低器件在串?dāng)_行為下誤導(dǎo)通的風(fēng)險(xiǎn)。

B2M065120H性能參數(shù)：

?RDS (on)：65mΩ

?Voltage：1200V

?最高工作結(jié)溫：175°C

?封裝：T0-247-3、T0-247-4、T0-263-7

基本半導(dǎo)體汽車級(jí)碳化硅功率模塊產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)全面量產(chǎn)，目前年產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)只模塊；車規(guī)級(jí)碳化硅芯片產(chǎn)線已通線，達(dá)產(chǎn)后每年可保障約50萬(wàn)輛新能源汽車的相關(guān)芯片需求，國(guó)芯思辰可提供專業(yè)的技術(shù)支持和穩(wěn)定的供貨服務(wù)，如需樣品可免費(fèi)申請(qǐng)。

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