氮化鎵（GaN）是直接寬帶隙半導體材料，屬于第3代半導體。相較于硅、砷化鎵等，GaN的禁帶寬度更大、擊穿電場強度更高，具有更高的電子飽和度和漂移速率、更強的抗輻照能力以及較強的化學穩(wěn)定性。其在可見光和紅外光背景下的紫外光探測具有極大的優(yōu)勢，因而在紫外探測、生物化學探測方面都獲得了廣泛應用。

來源：全球半導體觀察 、《新材料產業(yè)》

編輯：感知芯視界

韓媒報道稱，三星電子即將進軍氮化鎵 （GaN）市場，將在2025年起，為消費級、資料中心和汽車應用提供8寸氮化鎵晶圓代工服務。

氮化鎵因具備寬禁帶、高頻率、低損耗、抗輻射強等優(yōu)勢，可以滿足各種應用場景對高效率、低能耗、高性價比的要求。當前，氮化鎵的應用已經不再局限于快充等消費電子市場，而是向數據中心、可再生能源甚至新能源汽車市場持續(xù)推進。

市場研究機構TrendForce集邦咨詢《2023 GaN功率半導體市場分析報告 - Part1》顯示，到2026年，全球GaN功率元件市場規(guī)模將從2022年的1.8億美金成長到13.3億美金，復合增長率高達65%。

面對強大的市場需求，眾多半導體廠商開始擴充生產線，布局氮化鎵市場。

國內企業(yè)如三安光電、華潤微、英諾賽科、賽微電子、珠海鎵未來等廠商也在馬不停蹄地加速布局氮化鎵并推進產品落地和商用。

從市場競爭格局看，集邦咨詢以GaN功率元件業(yè)務營收觀察顯示，2022年Power integrations以20%的市占率排名第一，其次為Navitas（17%）、英諾賽科（16%）、EPC（15%）、GaN Systems（12%）、Transphorm（9%）等。

目前，GaN制備工藝較為成熟，已經能夠利用GaN制造出結構復雜的器件。GaN材料制造的傳感器相較其他材料傳感器也表現出更加優(yōu)秀的性質，因而在紫外探測、生物化學探測方面都獲得了廣泛應用。

就紫外探測領域來說，目前使用的許多雷達，尤其是采用有源相控陣列天線的雷達，在其結構中都使用了GaN材料。科學家現在已經把GaN視為未來雷達設計制造的奇跡材料。

在海洋探測上，早在2008年，上海技術物理所自行研發(fā)了GaN基線陣列器件，并推出256x1元GaN基可見盲區(qū)便攜式紫外GaN線列探測器，對海面進行紫外實景拍攝用于海洋溢油的監(jiān)測。

就紅外檢測而言，相比傳統(tǒng)光學紅外探測器，GaN微機械諧振紅外探測器具有更高的信噪比、更寬的頻率帶寬，并且不需要冷卻，可以更好地在室溫和高溫下工作。

而針對壓力傳感器，目前，利用GaN的耐高溫、耐腐蝕、抗輻射性質，已經制造出了應用于宇宙飛船上的GaN/AIGaN基壓力傳感器。

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審核編輯 黃宇