MOSIS:ORBIT 2.0u SCNA規(guī)則

v1 Vdd Gnd 5.0

v2 Clk Gnd pulse(0.0 5.0 0 10n 10n 100n 200n)

v4 ClB Gnd pulse(0.0 5.0 0 10n 10n 1000n 1000n)

v3 Data Gnd pulse(0.0 5.0 0 10n 10n 80n 150n)

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邏輯綜合完成之后，通過(guò)引入器件制造公司提供的工藝信息，前面完成的設(shè)計(jì)將進(jìn)入布圖規(guī)劃、布局、布線階段，工程人員需要根據(jù)延遲、功耗、面積等方面的約束信息，合理設(shè)置物理設(shè)計(jì)工具的參數(shù)，不斷調(diào)試，以獲取最佳的配置，從而決定組件在晶圓上的物理位置。如果是全定制設(shè)計(jì)，工程師還需要精心繪制單元的集成電路版圖，調(diào)整晶體管尺寸，從而降低功耗、延時(shí)。

隨著現(xiàn)代集成電路的特征尺寸不斷下降，超大規(guī)模集成電路已經(jīng)進(jìn)入深亞微米級(jí)階段，互連線延遲對(duì)電路性能的影響已經(jīng)達(dá)到甚至超過(guò)邏輯門(mén)延遲的影響。這時(shí)，需要考慮的因素包括線網(wǎng)的電容效應(yīng)和線網(wǎng)電感效應(yīng)，芯片內(nèi)部電源線上大電流在線網(wǎng)電阻上造成的電壓降也會(huì)影響集成電路的穩(wěn)定性。為了解決這些問(wèn)題，同時(shí)緩解時(shí)鐘偏移、時(shí)鐘樹(shù)寄生參數(shù)的負(fù)面影響，合理的布局布線和邏輯設(shè)計(jì)、功能驗(yàn)證等過(guò)程同等重要。隨著移動(dòng)設(shè)備的發(fā)展，低功耗設(shè)計(jì)在集成電路設(shè)計(jì)中的地位愈加顯著。在物理設(shè)計(jì)階段，設(shè)計(jì)可以轉(zhuǎn)化成幾何圖形的表示方法，工業(yè)界有若干標(biāo)準(zhǔn)化的文件格式（如GDSII）予以規(guī)范。