我國在二維半導體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大突破!

近日，來自松山湖材料實驗室/北京大學教授劉開輝、中國科學院院士王恩哥團隊，以及松山湖材料實驗室/中國科學院物理研究所研究員張廣宇團隊的最新研究成果在Science Bulletin(科學通報)在線發(fā)表。該研究題為《模塊化局域元素供應技術(shù)批量制備12英寸過渡金屬硫族化合物》。

Science Bulletin是由中科院、國自然基金委、Elsevier聯(lián)合出版的自然科學綜合性期刊，其前身是Chinese Science Bulletin。

論文表示，該團隊采用局域元素供應技術(shù)，成功地將過渡金屬硫族化合物晶圓尺寸從2英寸擴展至與現(xiàn)代半導體材料接軌的12英寸，并通過垂直堆疊多個模塊層的策略，成功實現(xiàn)其大規(guī)模批量化生產(chǎn)的能力。

隨著晶體管尺寸接近其物理極限，摩爾定律步伐減緩，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展亟需探索新型材料。

二維半導體材料由于其本身物理結(jié)構(gòu)優(yōu)勢及電學性質(zhì)特點，在半導體的發(fā)展中具有巨大潛力。

與傳統(tǒng)半導體類似，二維半導體的低成本、大規(guī)模、批量制備是其產(chǎn)業(yè)化應用所面臨的難題。該研究成果為實現(xiàn)二維半導體規(guī)模化制備提供了新的技術(shù)方案，有望推動二維半導體材料從實驗研究向產(chǎn)業(yè)應用過渡。

審核編輯 黃宇