個(gè)人公眾號(hào):硬件之路學(xué)習(xí)筆記
個(gè)人公眾號(hào):硬件之路學(xué)習(xí)筆記
一、什么是PSRR?
電源抑制比(PSRR)指的是輸入紋波電壓與輸出紋電壓的比值,單位是分貝(dB),其表達(dá)式為:

即:假設(shè)輸入紋波電壓為100mV,那么輸入到一個(gè)20dB共模抑制比的LDO后輸出電壓文波為10mV。
二、影響PSRR的因素
以TI的LDO-TPS71701DCKR為例,其數(shù)據(jù)手冊(cè)的PSRR-Frequency如下圖:


此圖可以看出,PSRR不僅與工作頻率有關(guān),還與負(fù)載電流、輸入輸出壓降(電源之LDO-2. LDO的壓降)、輸出電容有關(guān)系。
具體體現(xiàn)為:壓降越小、負(fù)載電流越大、頻率越高、輸出電容越小其PSRR越低,因此當(dāng)需要高共模抑制比時(shí),需要適當(dāng)提高壓差、增大輸出電容并降低負(fù)載電流。
三、如何提高PSRR?
①LDO前后加入濾波網(wǎng)絡(luò)
由PSRR-Frequency曲線可以得出,頻率越低LDO的紋波抑制能力越強(qiáng)
②級(jí)聯(lián)LDO
必要時(shí),保證壓降(電源之LDO-2. LDO的壓降)的情況下,級(jí)聯(lián)多個(gè)LDO的方式可以提高整體PSRR。

③ 增大輸出電容值
根據(jù)工作頻率增大輸出電容容值,且并聯(lián)多個(gè)不同數(shù)量級(jí)的電容。

④盡量減小LDO負(fù)載
四、LDO高PSRR特性有什么作用?
LDO輸出紋波低的特性決定其很適合用作集成IC例如單片機(jī)的供電,而開關(guān)電源輸出紋波較大且受負(fù)載大小影響較大。效率上開關(guān)電源比LDO更高,發(fā)熱量小,所以一般將開關(guān)電源與LDO結(jié)合使用,用LDO的高PSRR來抑制開關(guān)電源的輸出紋波。

-
電源
+關(guān)注
關(guān)注
185文章
18308瀏覽量
255333 -
ldo
+關(guān)注
關(guān)注
35文章
2294瀏覽量
155903 -
電源抑制比
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
78瀏覽量
13875
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
關(guān)于LDO基礎(chǔ)知識(shí):電源抑制比

一文詳解LDO的電源抑制比

什么是LDO?淺析低壓差穩(wěn)壓器 (LDO) 中的噪聲及電源抑制比

LDO線性電源轉(zhuǎn)換芯片-LDO14005
開關(guān)電源和LDO設(shè)計(jì)
LDO的電源抑制比測(cè)量
關(guān)于ldo的紋波抑制比 精選資料分享
開關(guān)電源和LDO電源紋波的情況
RF電路中LDO電源抑制比和噪聲原理及選擇

高電源抑制比無片外電容LDO設(shè)計(jì)

評(píng)論