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電源之LDO-4. LDO的電源抑制比

realhuanggang ? 來源:realhuanggang ? 作者:realhuanggang ? 2023-07-24 16:15 ? 次閱讀

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電源之LDO——1.LDO基礎(chǔ)知識(shí)

電源之LDO-2. LDO的壓降

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一、什么是PSRR?

電源抑制比(PSRR)指的是輸入紋波電壓與輸出紋電壓的比值,單位是分貝(dB),其表達(dá)式為:

wKgaomS-MpCAdThJAACnpfwpOlc535.png

即:假設(shè)輸入紋波電壓為100mV,那么輸入到一個(gè)20dB共模抑制比的LDO后輸出電壓文波為10mV。

二、影響PSRR的因素

TI的LDO-TPS71701DCKR為例,其數(shù)據(jù)手冊(cè)的PSRR-Frequency如下圖:

wKgZomS-Mq2AfFa6AAMx_D1gkXo480.pngwKgaomS-MraARfaZAAGMlYTPOSk715.png

此圖可以看出,PSRR不僅與工作頻率有關(guān),還與負(fù)載電流、輸入輸出壓降(電源之LDO-2. LDO的壓降)、輸出電容有關(guān)系。

具體體現(xiàn)為:壓降越小、負(fù)載電流越大、頻率越高、輸出電容越小其PSRR越低,因此當(dāng)需要高共模抑制比時(shí),需要適當(dāng)提高壓差、增大輸出電容并降低負(fù)載電流。

三、如何提高PSRR?

①LDO前后加入濾波網(wǎng)絡(luò)

由PSRR-Frequency曲線可以得出,頻率越低LDO的紋波抑制能力越強(qiáng)

②級(jí)聯(lián)LDO

必要時(shí),保證壓降(電源之LDO-2. LDO的壓降)的情況下,級(jí)聯(lián)多個(gè)LDO的方式可以提高整體PSRR。

wKgaomS-MsGAYeRBAABkJFWpfMs332.png

③ 增大輸出電容值

根據(jù)工作頻率增大輸出電容容值,且并聯(lián)多個(gè)不同數(shù)量級(jí)的電容。

wKgZomS-MseAQJygAACUhaMbgpo440.png

④盡量減小LDO負(fù)載

四、LDO高PSRR特性有什么作用?

LDO輸出紋波低的特性決定其很適合用作集成IC例如單片機(jī)的供電,而開關(guān)電源輸出紋波較大且受負(fù)載大小影響較大。效率上開關(guān)電源比LDO更高,發(fā)熱量小,所以一般將開關(guān)電源與LDO結(jié)合使用,用LDO的高PSRR來抑制開關(guān)電源的輸出紋波。

wKgZomS-Ms6Ac_P0AABHk3kTn7o576.png
審核編輯:湯梓紅
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