KUU推出SGT MOSFET新品 KM4110N-568
KUU推出采用DFN5*6-8L無(wú)鉛塑料封裝的N-SGT MOSFET產(chǎn)品KM4110N-568。產(chǎn)品使用先進(jìn)的屏蔽柵溝槽（Shield Gate Trench）技術(shù)，同時(shí)降低了器件導(dǎo)通電阻Ronsp和柵極電荷Qg，得到更小的品質(zhì)因數(shù)FOM（Rdson*Qg）。采用這一先進(jìn)技術(shù)有效提高了器件的開(kāi)關(guān)速度，降低了開(kāi)關(guān)損耗，配合以先進(jìn)的終端設(shè)計(jì)和封裝技術(shù)，使器件具有更優(yōu)異的性能和更強(qiáng)的可靠性。
這款KM4110N-568作為N-SGT MOSFET，其產(chǎn)品參數(shù)：具有110A電流、40V電壓，RDS(on) =2.3mΩ，最高柵源電壓VGS =±20 V，廣泛使用在AC-DC/DC-DC的同步整流、變流器、電動(dòng)工具等。
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
1、極低的Rdson
2、極低的Qg和Qgd
3、更快的開(kāi)關(guān)速度
4、更低的開(kāi)關(guān)損耗
典型應(yīng)用方案
使用這款N-SGT MOSFET，保證其耐壓性能，能抵抗高浪涌電流沖擊，具有更低導(dǎo)通損耗，可節(jié)省電能，適合多管并聯(lián)。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題，請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
-
開(kāi)關(guān)
+關(guān)注
關(guān)注
19文章
3163瀏覽量
94046 -
MOSFET
+關(guān)注
關(guān)注
147文章
7310瀏覽量
214776 -
封裝
+關(guān)注
關(guān)注
127文章
8067瀏覽量
143640
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
相關(guān)推薦
安建半導(dǎo)體推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)
安建半導(dǎo)體(JSAB)隆重推出第二代30V SGT MOSFET產(chǎn)品平臺(tái)，融合國(guó)內(nèi)尖端技術(shù)與設(shè)計(jì)，開(kāi)創(chuàng)功率密度新高度，在開(kāi)關(guān)特性和導(dǎo)通電阻等關(guān)鍵參數(shù)方面達(dá)到行業(yè)巔峰，助力高效能源轉(zhuǎn)換和低能耗運(yùn)行
SGT MOSFET的優(yōu)勢(shì)解析
SGT MOSFET，即屏蔽柵溝槽MOSFET，是一種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體器件。這種技術(shù)改變了MOSFET內(nèi)部電場(chǎng)的形態(tài)，將傳統(tǒng)的三角形電場(chǎng)進(jìn)一步的變更為類似壓縮的梯形電場(chǎng)，可以進(jìn)一步減小
上海貝嶺150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品介紹
上海貝嶺推出150V SGT MOSFET系列產(chǎn)品。貝嶺150V SGT系列產(chǎn)品采用業(yè)界先進(jìn)工藝，使得器件具有良好的柵極漏電流IGSS性能；采用深溝槽、多層外延襯底以及多重浮空環(huán)終端結(jié)
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品列表
新潔能30-250V N-Channel SGT-I MOSFET產(chǎn)品是基于傳統(tǒng)溝槽式MOSFET的改進(jìn)版本，其出色的導(dǎo)通電阻、品質(zhì)因子和快速硬開(kāi)關(guān)能力，為電源設(shè)計(jì)人員提供了解決提高系
一文看懂SGT MOSFET的市場(chǎng)前景
uSGT MOSFET的市場(chǎng)前景 SGT-MOS的全稱是“Split Gate Trench-MOSFET”，中文叫屏蔽柵溝槽型功率 MOSFET。
納芯微推出全新CSP封裝MOSFET產(chǎn)品
近日，納芯微正式推出了CSP封裝12V共漏極雙N溝道MOSFET——NPM12023A系列產(chǎn)品。這款新品以其優(yōu)異的短路過(guò)流能力與雪崩過(guò)壓能力，以及更強(qiáng)的機(jī)械壓力耐受能力，為便攜式鋰電設(shè)
新品 | 600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列
新品600VCoolMOS8SJMOSFET系列英飛凌最新推出的600VCoolMOS8引領(lǐng)著全球高壓超級(jí)結(jié)MOSFET技術(shù)的發(fā)展，在全球范圍內(nèi)樹(shù)立了技術(shù)和性價(jià)比標(biāo)準(zhǔn)。CoolMOS8是英飛凌新一代
網(wǎng)線t568b和t568a的區(qū)別
網(wǎng)線T568B和T568A是兩種常見(jiàn)的網(wǎng)線線序標(biāo)準(zhǔn)，它們之間存在多個(gè)方面的區(qū)別，主要包括以下幾個(gè)方面： 一、排線順序不同 T568B：其排線順序?yàn)榘壮取⒊取拙G、藍(lán)、白藍(lán)、綠、白棕、棕。這種排線順序
替代Trench MOSFET？國(guó)產(chǎn)SGT MOSFET產(chǎn)品井噴
，IGBT、超結(jié)MOSFET等中高壓產(chǎn)品也受到了更多關(guān)注，不過(guò)面對(duì)第三代半導(dǎo)體在新能源領(lǐng)域的強(qiáng)勢(shì)沖擊，未來(lái)增速面臨放緩跡象。 ? 然而在低壓領(lǐng)域的硅基MOSFET市場(chǎng)，SGT MOSFET
N型溝道MOSFET 60N10數(shù)據(jù)手冊(cè)
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《N型溝道MOSFET 60N10數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
發(fā)表于 05-30 14:24
?0次下載
SGT技術(shù)：電動(dòng)工具與鋰電保護(hù)的“隱形守護(hù)者”# MOS管#mosfet MOSFET
MOSFET
微碧半導(dǎo)體VBsemi
發(fā)布于 :2024年04月08日 10:05:41
Vishay推出30V N溝道TrenchFET第五代功率MOSFET
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
Vishay推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET
近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論