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工藝可靠性電遷移EM測試

上海季豐電子 ? 來源:季豐電子 ? 2023-09-07 09:37 ? 次閱讀

電遷移是金屬線在電流和溫度作用下產(chǎn)生的金屬遷移現(xiàn)象——運(yùn)動中的電子和主體金屬晶格之間相互交換動量,金屬原子沿電子流方向遷移時,就會在原有位置上形成空洞,同時在金屬原子遷移堆積形成丘狀突起。

前者將引線開路或斷裂,而后者會造成光刻困難和多層布線之間的短路,從而影響芯片的正常工作。

為更好地滿足客戶EM測試需求,季豐電子提供EM測試樣品制備服務(wù),樣品外形涵蓋DIP8、DIP16、DIP24、DIP28等。

工藝可靠性電遷移(EM)測試

芯片經(jīng)過長時間高溫、大電流(密度),容易引起金屬線metal-line或連接通孔Via失效,測試環(huán)境250~300°。

測試流程是通過在施加溫度和電流時測量電阻,直至該顆測試樣品達(dá)到設(shè)定電阻變化,被判定失效發(fā)生,測試實驗終止。

樣品制備流程:晶圓減薄劃片-陶瓷管殼打線

陶瓷管殼焊線材質(zhì)一般用金線和鋁線,以下將2種材質(zhì)的樣品進(jìn)行對比:

1. 陶瓷管殼封裝-Au wire 實驗溫度條件 250°C

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(FApictureofAubond)

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2. 陶瓷管殼封裝-Alwire實驗溫度條件250°C

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當(dāng)溫度處于250°C,時間達(dá)到48小時,頂部金屬擴(kuò)散到Au和Al襯底,會引起測試結(jié)構(gòu)Open。

EM測試時需要250°以上高溫,使用鋁線制備EM樣品最佳。





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:工藝可靠性電遷移EM測試-樣品制備

文章出處:【微信號:zzz9970814,微信公眾號:上海季豐電子】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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