為了平衡成本和性能，強烈建議更換二極管(用 SiC SBD 代替硅SBD)。與硅 SBD 相比，SiC SBD 具有更低的trr和lrr，從而帶來更低的 Err 和更好的系統效率。

為了最大限度地提高系統效率和功率密度，應考慮PIM功率集成模塊解決方案。SiC 模塊成本更高，但能帶來以下優勢。

熱性能比較：分立與模塊

安森美 (onsemi) 在儲能系統和太陽能組串式逆變器方面擁有廣泛的產品組合。

柵極驅動器

為了快速安全地驅動 SiC MOSFET，需要可靠的 SiC MOSFET 驅動器。在選擇 SiC MOSFET 以提高 SiC MOSFET 電源實現方案的穩健性時，需要注意以下 3 點：

要在 ESS 中進行準確的電壓和電流測量，需要可靠且精密的運算放大器(OpAmp)或電流檢測放大器。安森美提供高精度、低功耗、電流監測(集成電阻)放大器，具有不同的供電電流、增益帶寬積和封裝，以便電壓電流信號的反饋實現閉環控制。

安森美的Elite Power 在線仿真工具能夠在開發周期的早期進行系統級仿真，為復雜的電力電子應用提共有價值的參考信息。Elite Power 仿真工具能夠精確呈現所設計的電路在使用我們的 EliteSiC 產品系列時的工況，包括 Elite SiC 技術的制造邊界工況。

特性

PLECS 模型自助生成工具讓電子工程師能靈活自由地創建定制化高保真系統級 PLECS 模型，工程師可以直接在自己的仿真平臺中使用模型，也可將模型上傳到安森美 Elite Power 仿真工具進行仿真。

特性