三星電子昨天在歐洲三星代工論壇上發(fā)表了歐洲半導體產(chǎn)業(yè)匹配型事業(yè)戰(zhàn)略和產(chǎn)品發(fā)展藍圖。三星表示,將加強歐洲汽車客戶在特殊工藝方面的參與和合作,進一步鞏固其業(yè)界最高委托制造合作伙伴的地位。
三星在會上表示,作為新一代汽車技術,正在首次開發(fā)5nm eMRAM。三星計劃到2024年為止,用14納米工程增加mbram產(chǎn)品有價證券組合,2年后升級為8納米制程。
三星電子還發(fā)表了“先進工藝路線圖”,即,到2026年為止,完成汽車應用2納米工程的量產(chǎn)準備。另外,三星計劃到2025年將目前的130納米汽車bcd工程擴大到90納米,并計劃到2025年為止,在130納米bcd工程上適用120v。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
半導體產(chǎn)業(yè)
+關注
關注
6文章
509瀏覽量
34459 -
eMRAM
+關注
關注
0文章
8瀏覽量
2208 -
三星
+關注
關注
1文章
1618瀏覽量
31549
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
三星電子否認1b DRAM重新設計報道
據(jù)報道,三星電子已正式否認了有關其將重新設計第五代10nm級DRAM(即1b DRAM)的傳聞。這一否認引發(fā)了業(yè)界對三星電子內(nèi)存產(chǎn)品策略的新
三星否認重新設計1b DRAM
據(jù)DigiTimes報道,三星電子對重新設計其第五代10nm級DRAM(1b DRAM)的報道予以否認。 此前,ETNews曾有報道稱,三星電子內(nèi)部為解決12
三星電子1c nm內(nèi)存開發(fā)良率里程碑推遲
據(jù)韓媒報道,三星電子已將其1c nm DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間推遲了半年。原本,三星計劃在2024年底將1c nm制程DRAM的良率
三星1c nm DRAM開發(fā)良率里程碑延期
據(jù)韓媒MoneyToday報道,三星電子已將其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM內(nèi)存開發(fā)的良率里程碑時間從原定的2024年底推遲至2025年6月。這一變動可能對三星
三星重啟1b nm DRAM設計,應對良率與性能挑戰(zhàn)
近日,據(jù)韓媒最新報道,三星電子在面對其12nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)品的良率和性能雙重困境時,已于2024年底作出了重要決策。為了改善現(xiàn)狀,三星決定在優(yōu)化現(xiàn)有1b
三星發(fā)布業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM
近日,存儲芯片巨頭三星電子宣布了一項重大突破:成功開發(fā)出業(yè)界首款24Gb GDDR7 DRAM。這款新品不僅在容量上達到了
三星首推第八代V-NAND車載SSD,引領汽車存儲新紀元
三星電子在車載存儲技術領域邁出了重要一步,正式宣布成功研發(fā)出業(yè)界首款基于其先進第八代V-NAND技術的PCIe 4.0車載SSD——AM9C
三星將為DeepX量產(chǎn)5nm AI芯片DX-M1
人工智能半導體領域的創(chuàng)新者DeepX宣布,其第一代AI芯片DX-M1即將進入量產(chǎn)階段。這一里程碑式的進展得益于與三星電子代工設計公司Gaonchips的緊密合作。雙方已正式簽署量產(chǎn)合同,標志著DeepX的5nm芯片DX-M1將大
三星首款3nm可穿戴設備芯片Exynos W1000發(fā)布
在科技日新月異的今天,三星再次以其卓越的創(chuàng)新能力震撼業(yè)界,于7月3日正式揭曉了其首款采用頂尖3nm GAA(Gate-All-Around)先進工藝制程的可穿戴設備系統(tǒng)
傳三星電子12nm級DRAM內(nèi)存良率不足五成
近日,據(jù)韓國媒體報道,三星在其1b nm(即12nm級)DRAM內(nèi)存生產(chǎn)過程中遇到了良率不足的挑戰(zhàn)。目前,該制程的良率仍低于業(yè)界一般目標的8
三星電子正按計劃推進eMRAM內(nèi)存制程升級
三星電子在昨日舉行的韓國“AI-PIM 研討會”上宣布,其正按計劃穩(wěn)步進行eMRAM(嵌入式磁性隨機存取內(nèi)存)的制程升級工作。據(jù)悉,目前8nm eM
三星發(fā)布中端市場Exynos 1480芯片,業(yè)界首款基于Arm v9架構
相較于去年采用5nm制程的Exynos 1380,Exynos 1480升級至三星自研的4nm(4LPP+)制程技術。新芯片包含四顆ARM Cortex-A78 CPU核心,主頻高達2
三星Galaxy M35 5G新機現(xiàn)身GeekBench,搭載Exynos 1380芯片
這款旗艦級智能手機將采用三星自行研發(fā)的Exynos 1380處理器,高標準精心打造,采用先進的5nm制程工藝,突出表現(xiàn)力強的Cortex A78內(nèi)核共有四核心,分別運行頻率高達2.4GHz;
臺積電擴增3nm產(chǎn)能,部分5nm產(chǎn)能轉向該節(jié)點
目前,蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺積電能達成緊密合作,預示臺積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點以滿足客戶需求,這標志著其在3nm制程領域已經(jīng)超越競爭對手三星及英特爾。
三星電子發(fā)布業(yè)界最大容量HBM
三星電子近日宣布,公司成功研發(fā)并發(fā)布了其首款12層堆疊HBM3E DRAM,即HBM3E 12H,該產(chǎn)品在帶寬和容量上均實現(xiàn)了顯著的提升,這也意味著三星已
評論