在线观看www成人影院-在线观看www日本免费网站-在线观看www视频-在线观看操-欧美18在线-欧美1级

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

華為公布新專利:晶圓處理技術(shù)再升級!

fcsde-sh ? 來源:未知 ? 2023-12-19 19:40 ? 次閱讀

作為中國電子產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè),華為最近在芯片領(lǐng)域取得了一系列突破。除了麒麟9000S芯片的研發(fā),華為還公布了多條專利信息。其中一項便是關(guān)于晶圓制造的,這將有利于提高晶圓對準(zhǔn)效率和對準(zhǔn)精度。

根據(jù)企查查公開的信息顯示,這項新專利的名稱為“晶圓處理裝置和晶圓處理方法”,申請日期為2022年6月2日,申請公布日為2023年12月12日,申請公開號為CN117219552A。

wKgZomWBgj6ALqEHAAJN2i9Hi6M544.png

(圖片來源:企查查)

根據(jù)專利摘要顯示,本公開的實施例涉及晶圓處理裝置和晶圓處理方法。

晶圓處理裝置包括:晶圓載臺,晶圓載臺可沿旋轉(zhuǎn)軸線旋轉(zhuǎn);機械臂,包括機械手,用于搬運晶圓并將晶圓放置在晶圓載臺上;控制器;以及校準(zhǔn)組件(包括:光柵板,相對于晶圓載臺固定;光源,相對于光柵板固定;以及成像元件,固定設(shè)置在機械臂上,并且適于接收從光源發(fā)出的、透過光柵板的光)。

其中,控制器被配置成基于成像元件對接收到的光的檢測,控制機械臂或機械臂上的調(diào)整裝置來調(diào)整晶圓的位置;其中,在晶圓載臺承載晶圓的情況下,光柵板和成像元件分別位于晶圓載臺的上表面所在平面相對兩側(cè),上表面用于承載晶圓。

專利摘要指出,本公開的實施例提供的裝置和方法,能夠提高晶圓對準(zhǔn)效率和對準(zhǔn)精度。

wKgZomWBgj6AJ1IzAAFO33gvEsc080.png

wKgZomWBgj-ABaZUAADMx3VhEYY862.png

wKgZomWBgj-Af-P4AACijsOKD9g370.png

wKgZomWBgj-ANMuVAAFEsMN8UIA887.png

(專利原理示意圖)

這些年,華為雖然遭受了外界的打壓,但卻絲毫沒有影響其在科研領(lǐng)域的研究,尤其是專利數(shù)量方面,一直在不斷攀升。

未來,我們可以期待華為在芯片領(lǐng)域的更多創(chuàng)新和突破,為中國科技發(fā)展貢獻更多的力量。

免責(zé)聲明:本文轉(zhuǎn)自網(wǎng)絡(luò),版權(quán)歸原作者所有,如涉及作品版權(quán)問題,請及時與我們聯(lián)系,謝謝!

加入粉絲交流群

張飛實戰(zhàn)電子為公眾號的各位粉絲,開通了專屬學(xué)習(xí)交流群,想要加群學(xué)習(xí)討論/領(lǐng)取文檔資料的同學(xué)都可以掃描圖中運營二維碼一鍵加入哦~(廣告、同行勿入)


原文標(biāo)題:華為公布新專利:晶圓處理技術(shù)再升級!

文章出處:【微信公眾號:fcsde-sh】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。


聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 模擬技術(shù)
    +關(guān)注

    關(guān)注

    17

    文章

    469

    瀏覽量

    40097
  • 張飛電子
    +關(guān)注

    關(guān)注

    55

    文章

    175

    瀏覽量

    12872

原文標(biāo)題:華為公布新專利:晶圓處理技術(shù)再升級!

文章出處:【微信號:fcsde-sh,微信公眾號:fcsde-sh】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    一文詳解清洗技術(shù)

    本文介紹了清洗的污染源來源、清洗技術(shù)和優(yōu)化。
    的頭像 發(fā)表于 03-18 16:43 ?365次閱讀
    一文詳解<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>清洗<b class='flag-5'>技術(shù)</b>

    華為公布AI模型訓(xùn)練與車輛控制專利

    近日,華為技術(shù)有限公司在技術(shù)創(chuàng)新領(lǐng)域再次邁出重要一步,其申請的“模型的訓(xùn)練方法、車輛的控制方法及相關(guān)裝置”專利于2月18日正式公布。這一專利
    的頭像 發(fā)表于 02-20 09:14 ?335次閱讀

    邊緣需要鋪滿電路的原因分析

    指的是由于邊緣的處理不同于中心區(qū)域,導(dǎo)致的電學(xué)和物理性能的差異。邊緣由于距離加工工具較遠或光刻曝光時的
    的頭像 發(fā)表于 12-31 11:24 ?526次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>邊緣需要鋪滿電路的原因分析

    為什么要減薄

    300mm的厚度為775um,200mm的度為725um,這個厚度在實際封裝時太厚了。前段制程中
    的頭像 發(fā)表于 12-24 17:58 ?811次閱讀

    背面涂敷工藝對的影響

    工藝中常用的材料包括: 芯片粘結(jié)劑:作為漿料涂覆到背面,之后烘干。采用這種方法,成本較低,同時可以控制鍵合層厚度并且提高單位時間產(chǎn)量。 WBC膠水:其成分
    的頭像 發(fā)表于 12-19 09:54 ?589次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>背面涂敷工藝對<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的影響

    什么是微凸點封裝?

    微凸點封裝,更常見的表述是微凸點技術(shù)
    的頭像 發(fā)表于 12-11 13:21 ?573次閱讀

    /晶粒/芯片之間的區(qū)別和聯(lián)系

    (Si)或其他半導(dǎo)體材料制成。的形狀一般是圓形的薄片,厚度一般在幾百微米到幾毫米之間,表面經(jīng)過精密的處理,使其足夠光滑,并具備優(yōu)良的晶體結(jié)構(gòu),適合進行各種電子器件的加工。 比喻:可以把
    的頭像 發(fā)表于 11-26 11:37 ?1323次閱讀

    英飛凌推出全球最薄硅功率,突破技術(shù)極限并提高能效

    ?英飛凌是首家掌握20μm超薄功率半導(dǎo)體處理和加工技術(shù)的公司;?通過降低厚度將基板電阻減
    的頭像 發(fā)表于 10-31 08:04 ?485次閱讀
    英飛凌推出全球最薄硅功率<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>,突破<b class='flag-5'>技術(shù)</b>極限并提高能效

    GaAs的清洗和表面處理工藝

    GaAs作為常用的一類,在半導(dǎo)體功率芯片和光電子芯片都有廣泛應(yīng)用。而如何處理好該類
    的頭像 發(fā)表于 10-30 10:46 ?923次閱讀
    GaAs<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>的清洗和表面<b class='flag-5'>處理</b>工藝

    鍵合技術(shù)的類型有哪些

    鍵合技術(shù)是一種先進的半導(dǎo)體制造工藝,它通過將兩塊或多塊在一定的工藝條件下緊密結(jié)合,形成一個整體結(jié)構(gòu)。這種
    的頭像 發(fā)表于 10-21 16:51 ?1163次閱讀

    的制備流程

    本文從硅片制備流程為切入點,以方便了解和選擇合適的硅,硅的制備工藝流程比較復(fù)雜,加工工序多而長,所以必須嚴(yán)格控制每道工序的加工質(zhì)量,才能獲得滿足工藝
    的頭像 發(fā)表于 10-21 15:22 ?782次閱讀

    制造良率限制因素簡述(2)

    相對容易處理,并且良好的實踐和自動設(shè)備已將斷裂降至低水平。然而,砷化鎵
    的頭像 發(fā)表于 10-09 09:39 ?788次閱讀
    <b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造良率限制因素簡述(2)

    碳化硅和硅的區(qū)別是什么

    以下是關(guān)于碳化硅和硅的區(qū)別的分析: 材料特性: 碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有比硅(Si)更高的熱導(dǎo)率、電子遷移率和擊穿電場。這使得碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 08-08 10:13 ?2530次閱讀

    降本增效取得新進展,拉普拉斯申請圖形化工藝專利

    來源:金融界 近日,據(jù)天眼查知識產(chǎn)權(quán)信息顯示,拉普拉斯新能源科技股份有限公司(以下簡稱“拉普拉斯”)申請一項名為“圖形化工藝”的專利,公開號CN202410574469.X。 專利
    的頭像 發(fā)表于 07-19 09:54 ?346次閱讀

    北方華創(chuàng)微電子:清洗設(shè)備及定位裝置專利

    該發(fā)明涉及一種清洗設(shè)備及定位裝置、定位方法。其中,定位裝置主要用于帶有定位部的
    的頭像 發(fā)表于 05-28 09:58 ?555次閱讀
    北方華創(chuàng)微電子:<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>清洗設(shè)備及<b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>定位裝置<b class='flag-5'>專利</b>
    主站蜘蛛池模板: 九九视频只有精品 | 亚洲男人a天堂在线2184 | 亚洲大香伊人蕉在人依线 | 国产日韩精品一区二区三区 | 一级毛片女人喷潮 | 免费黄色在线视频 | 午夜高清在线 | 亚洲美女黄视频 | 人人草在线 | 免费观看在线永久免费xx视频 | 日本偷偷操 | 亚洲午夜精品久久久久久抢 | 日本欧美一区二区免费视 | 四虎精品影院2022 | 国产真实野战在线视频 | 91大神大战高跟丝袜美女 | 国产精品一区在线播放 | 一级在线免费视频 | 日本高清色图 | 国产伦精品一区二区三区免 | 亚洲国产情侣偷自在线二页 | 欧美草比 | 色老头网址 | 亚洲3级| 亚洲视频高清 | 国产成人精品亚洲日本在线观看 | 亚洲h视频在线 | 手机看片1024国产基地 | 91久久麻豆 | 97青草| 一区二区中文字幕亚洲精品 | 国产精品美女久久久久网站 | 97人人插| 免费无码看av的网站 | 人人洗澡人人洗澡人人 | 伊在线视频 | 亚洲狠狠色丁香婷婷综合 | 精品伊人久久大香线蕉网站 | 97夜夜澡人人爽人人喊一欧美 | 自拍中文字幕 | 亚洲在成人网在线看 |