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MRAMHS4MANSQ1A-DS1用于物聯網終端,容量可達4M

國芯思辰(深圳)科技有限公司 ? 2024-01-18 13:42 ? 次閱讀

物聯網的三大特征是感知物體、信息傳輸和智能處理。物聯網的終端設備(例如可穿戴設備、智能家居等)需要在收集大量數據的同時對數據進行智能處理,并實時與數據中心和其他設備進行交互。因此物聯網終端設備需要高集成度、低功耗、高速的存儲芯片。

國產磁存儲器HS4MANSQ1A-DS1相比傳統嵌入式存儲性能優勢更顯著,包括超快的寫入速度(約20ns);極高的擦寫次數(高至1012);極久的數據保持時間(20年85℃);可在邏輯Vcc供電且無電荷泵的情況下進行寫操作(寫電壓約2V,eFlash約10V)等。具有低功耗、高速度以及適用于先進工藝節點的高集成度等優勢。

HS4MANSQ1A-DS1封裝圖.png

HS4MANSQ1A-DS1是一個SPI/QPI接口4M容量的磁存儲器,芯片可以配置為1位I/O獨立接口或4位I/O通用接口。工作溫度: -40℃~125℃,適用于低電壓工作,休眠電流僅2μA,待機電流2mA,非常適合用于物聯網終端設備中,提供更優異的性能與更長的續航時間。

快速的SPI接口:

?支持標準SPI, Quad SPI, QPI模式

?高達200MHz時鐘頻率@SPI SDR寫

?高達100MHz時鐘頻率@SPI SDR讀

?高達60MHz時鐘頻率@Quad SPI SDR寫

?高達100MHz時鐘頻率@Quad SPI SDR讀

?高達60MHz時鐘頻率@QPI SDR寫

?高達100MHz時鐘頻率@QPI SDR讀

?寫操作沒有延遲

注:如涉及作品版權問題,請聯系刪除。


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