半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響

本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜，使用10%、20%和30%的過氧化氫（H2O2）濃度，蝕刻時間為30秒和60秒。經過一定量的蝕刻后，光學帶隙降低，這表明薄膜的結晶度質量有所提高。利用OPAL 2模擬器研究了不同ZnO厚度對樣品光學性能的影響。與其他不同厚度的ZnO層相比，OPAL 2模擬表明，400nm的ZnO層在UV波長范圍內具有最低的透射率。

晶體硅/黑硅/鈣鈦礦串聯結構的光學模擬與實驗研究

在這項工作中，使用轉移矩陣方法對這些結構的光學性質進行了建模，其中b-Si夾層的錐形納米針陣列近似為均勻光學介質，其有效復折射率是Si和鈣鈦礦的加權平均值。得到了串聯結構反射、透射和吸收的解析方程。將該結構的模擬反射光譜與沒有b-Si層的結構的反射光譜以及實驗數據進行了比較。數值計算和實驗證實，納米織構顯著改善了串聯結構的光學性能。

表面化學蝕刻的 MOCVD GaN 結構的發光特性

本工作旨在通過濕蝕刻方法改善MOCVD GaN的閃爍特性。發現了一個額外的藍色光致發光（B-PL）帶，峰值在2.7–2.9 eV，并與位錯有關。該B-PL帶強度似乎取決于濕法蝕刻暴露。當在相當低的溫度下記錄時，B-PL的強度顯著增強。這一發現類似于B-PL中心的PL熱猝滅。通過協調互補光電離和PL光譜技術，研究了閃爍強度和光譜變化的機制。