佳能去年10月發(fā)布了采用納米壓印技術(shù)的FPA-1200NZ2C，該設(shè)備工作原理區(qū)別于傳統(tǒng)光刻機，無須依賴光學圖像投影實現(xiàn)芯片微觀結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移，而更接近印刷工藝，通過壓制印出圖案，能制造出5nm芯片。

佳能近日表示，計劃年內(nèi)或明年上市使用納米壓印技術(shù)的光刻設(shè)備FPA-1200NZ2C。對比已商業(yè)化的EUV光刻技術(shù)，雖然納米壓印的制造速度較傳統(tǒng)方式緩慢，但由于制程簡化，耗電僅為EUV的十分之一，且投資額也僅為EUV設(shè)備的四成。因此，佳能此舉有望擊敗市場競爭對手，使得高端芯片生產(chǎn)價格更為親民。

該項目由佳能工業(yè)部門負責人竹西宏明親自領(lǐng)導。宏明明確表示：“期望今年或明年在市場熱度下啟動出貨。這一獨特技術(shù)，將助力尖端芯片生產(chǎn)變得更為簡易和經(jīng)濟實惠。”他還指出，這項關(guān)鍵性技術(shù)成功與否的關(guān)鍵在于能否打動潛在客戶，使他們愿意將其引入現(xiàn)有生產(chǎn)線。

據(jù)悉，初步階段，佳能將利用該技術(shù)生產(chǎn)3D NAND存儲器芯片，并非復雜的處理器。宏明透露，佳能在15年時間內(nèi)持續(xù)研發(fā)這一領(lǐng)域，若能成功實現(xiàn)商業(yè)化應用，有望扭轉(zhuǎn)競爭態(tài)勢，幫助新興企業(yè)以更低的成本打造領(lǐng)軍半導體產(chǎn)品。然而，新設(shè)備的缺陷率、集成難度以及地緣政治影響等因素，仍需考量其中，才能確定佳能能否在此次重大競爭中突出重圍。