據(jù)調(diào)研公司 TrendForce 數(shù)據(jù)顯示，展望至 2024年末，全球DRAM行業(yè)HBM TSV（硅通孔）的實際產(chǎn)量預計將提升至25萬噸/每分鐘，約占全球DRAM總量的14%。值得注意的是，HBM供應量在這幾年間逐年增長，年增長率高達260%。另據(jù)估計，2023年輕，HBM的產(chǎn)值在整個DRAM行業(yè)內(nèi)所占比重約為8.4%，但到2024年末，這個比例將上升至20.1%。

擔任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋，指出與同等容量和制程的 DDR5比較，HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間，然而其良品率卻相對較低，普遍低20%-30%。在生產(chǎn)周期上，相比于 DDR5，HBM的制造過程（包括TSV）要更為復雜，通常需多耗時1.5~2個月。

由于HBM生產(chǎn)周期較長，從投片到完成產(chǎn)出、封裝的過程綜合下來可能超過兩個季度，因此提前預訂的購買者才能保證足夠的供貨需求。

據(jù)該公司所得信息，大部分針對2024年度的訂單都已交付給供應商。

同時，該研究機構(gòu)也對主要的HBM制造商預設(shè)的HBM/TSV產(chǎn)能進行預測，如三星年內(nèi)每分鐘HBM TSV產(chǎn)量或?qū)⒏哌_13萬噸，緊接著是SK海力士，產(chǎn)能估算范圍為12-12.5萬噸，美光稍顯不足，預期產(chǎn)能僅有2萬噸。當前，三星、sk海力士兩大廠計劃增加HMB產(chǎn)能最為積極，特別是SK海力士在HBM3市場的份額已經(jīng)超過90%，而三星將連續(xù)多個季度持續(xù)增加產(chǎn)能，該舉措將得益于 AMD MI300芯片的逐步推廣和銷售量的穩(wěn)定增長。