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電子發燒友原創章鷹

4月1日，韓國股市開盤后，存儲大廠SK海力士一度漲幅超過4%，市值已超過 1,000 億美元，受益于投資者持續買入AI相關股票，由于市場對于SK海力士高帶寬內存（HBM）的需求激增，SK海力士的股價在過去一年暴增一倍以上。

無獨有偶，3月28日，在加州圣荷西舉行的全球芯片制造商聚會 Memcon 2024 上，三星公司執行副總裁兼 DRAM 產品和技術主管 Hwang Sang-joong 表示，三星公司將增加 HBM 芯片產量，今年產量是去年的 2.9 倍。據悉三星電子的市場規模較大，市值超過3600億美元，是閃存技術的引領者，過去一年三星股價漲31%。

美國存儲大廠美光公司在 3 月 20 日舉行的公司第二財季法說會上指出，市場對其HBM的需求強勁。首席執行官 Sanjay Mehrotra 預計，2024 財年HBM將創造數億美元的營收。

近日，在CFMS閃存峰會上，三星電子、SK海力士、美光和西部數據四家公司展示最新用于手機、PC、AI服務器和數據中心的旗艦存儲產品，本文進行匯總。

聚焦手機和數據中心，三星展示1TB UFS4.0和CXL新品

在閃存峰會上，三星電子執行副總裁吳和錫表示，三星是閃存技術的引領者，三星在2023年推出第一款QLC UFS產品，目前已經開始量產并成功商業化。在手機UFS技術發展推動上，三星目標是盡快將UFS順序讀寫能力提高一倍。

現場展出的三星UFS4.0產品，UFS4.0為每通道提供高達23.2Gbps的帶寬，是UFS3.1的兩倍，使其“非常適合需要大量數據處理的5G 智能手機”。三星展示的移動存儲UFS4.0容量高達1TB，這款產品采用三星第8代V-NAND技術實現高達4,200 MB/s的順序讀取速度和高達2,800MB/s的順序寫入速度，顯著高于UFS3.1的讀寫速度和寫入速度。這款產品在小型化方面也有創新，較上一代V7減少了高達26%的封裝體積，配合5G手機需求。

據悉，目前UFS4.0產品最大順序讀取性能為4GB/s，要成長一倍到8GB/s要到UFS5.0才可以實現。為了順應LLM大語言模型的應用，三星目前正在開發更高帶寬的UFS4.0產品，計劃2025年大規模量產4通道UFS產品。三星的產品路線圖上顯示，2027年三星UFS5.0計劃量產上市。

面向數據中心，三星去年推出了PM9D3a系列的SSD產品，這是一款適用于大型數據中心級的8通道PCle 5.0固態硬盤。8TB SSD可以達到每TB 50K IOPS性能，性能和效率比上一代提高1.6倍。三星還提到，FDP時代來臨，數據放置技術延長設備使用壽命，主要分為OC-SSD和ZNS等技術，設備到主機通過接收提示來控制數據的FDP技術出現。

三星還展出了CXL Memory Module Hybrid，作為基于CXL2.0接口的存儲產品，結合了NAND和DRAM技術，幫助AI和ML系統在處理大規模數據集時，實現高效的處理速度和有效的數據訪問。這款產品容量最高可達256GB，支持內存池化、熱插拔，通過了CXL1.1合規性測試的所有項目。

SK海力士推出企業級PCLe Gen5 SSD，美光HBM3E產品送樣

SK海力士執行副總裁兼NAND解決方案開發部負責人安炫表示：“在多模態AI時代，數據來自于手機、筆記本電腦、傳感器和服務器，這些數據都在云端匯集，創造了獨特的存儲需求，比方說手機存儲必須要更快，雖然功耗很低，但需要處理復雜的數據集。數據中心需要大容量和高效的存儲。數據的復雜性使得高性能與大容量存儲成為必然趨勢?！?br />

以H-TPU為核心，SK海力士推出了企業級和消費級類的PCle Gen5 SSD。H-TPU架構，是一種特定領域的微處理器，其大小相當于ARM R8核心的1/25?；贖-TPU架構，SK海力士推出了PS1010和PS1030兩款企業級的PCle Gen5 SSD。

這兩款16通道的硬盤驅動器，與行業平均水平相比，順序性能提高了50%，隨機性能提升了30%，熱性能提高了13%。目前，這兩款產品已經完成了第一批客戶驗證，現在準備批量發貨。

HBM是一種新型的CPU/GPU內存芯片，全稱為High Bandwidth Memory，即高帶寬存儲器，專門用于高性能計算和圖形處理領域，具有高帶寬、低延遲和低功耗等特點，被廣泛應用于高性能計算（HPC）、人工智能（AI）等領域。

目前，HBM市場競爭主要集中在SK海力士、三星及美光三大原廠。Trendforce集邦咨詢預計，2023年三大廠商在HBM領域的市占率分別為53%、38%、9%。今年3月19日，SK海力士宣布其超高性能AI存儲器HBM3E開始向客戶供貨；三星則預計將于今年下半年開始大規模量產12層堆疊HBM3E DRAM，目前已開始向客戶提供樣品。

美光企業副總裁暨存儲事業部總經理 Jeremy Werner表示，隨著AI技術的飛速發展和應用場景的不斷拓展，大規模的AI模型對算力的需求與日俱增。美光已經量產了HBM3E產品，目前正在送樣階段。12層堆棧的HBM3E產品容量可以達到36GB，性能方面，美光HBM3E的引腳速度超過9.2Gb/s，可以提供超過1.2TB/s的內存帶寬，每瓦性能提升2.5倍。

圍繞AI PC、數據中心和汽車，西部數據推出三大旗艦產品

西部數據公司中國區智能終端產品事業部高級銷售總監文芳表示：“當下人工智能、機器學習以及自動駕駛等大量數據密集型應用場景正高速發展。這意味著創新的NAND閃存技術在推動更高性能、更低時延的存儲解決方案方面將扮演更為重要的角色?！?/div>

西部數據的展臺有三大類產品展示為主。一類是嵌入式閃存驅動器，西部數據展示了iNAND AT EU552 UFS3.1解決方案, 它是針對自動駕駛和網聯汽車推出車規級UFS 3.1存儲解決方案。這款產品的優勢在于采用了112層的3D NAND技術，順序讀取速度高達1,600MB/s，順序寫入速度高達1,200MB/s，適用于eCockpit, ADAS與自動駕駛解決方案。憑借iNAND AT EU552 UFS 3.1嵌入式閃存驅動器，西部數據成為了首批通過 ASPICE CL3（等級3）的數據存儲解決方案提供商。

第二類是聚焦在PC領域。針對商用PC OEM廠商，西部數據推出了順序讀取速度高達6,000MB/s的 PC SN5000S NVMe SSD。這款搭載了高性能QLC（四級單元）的西部數據PC SN5000S NVMe SSD，為 PC OEM 廠商提供了創新的PCIe Gen4x4 存儲解決方案，幫助用戶輕松應對繁重的工作負載。

第三類是應用于數據中心的西部數據Ultrastar DC SN655 NVMe SSD。隨著新型應用、用例和網聯設備的與日俱增，數據中心客戶對于構建更具成本效益、可擴展性和可持續性的基礎架構的需求日益增加。現場工作人員表示，西部數據Ultrastar DC SN655 NVMe SSD是一款高性價比和低功耗垂直集成的SSD，容量可從3.84TB擴展到15.36TB，可滿足存儲和混合工作負載計算應用的要求，這款產品還提供了簡單且可擴展的單端口或雙端口路徑，確保滿足企業高可用性要求下的持續數據訪問。

小結

隨著大模型的快速爆發，加速了對AI服務器需求，AI服務器中搭載高容量HBM，以及對DDR5的容量需求是普通服務器的2-4倍。目前高端AI服務器GPU搭載HBM芯片已成主流。此外，在服務器領域，為滿足更高容量、更好性能的應用需求，2024年server PCIe5.0 SSD的滲透率將較2023年翻倍成長。汽車也成為存儲的潛力增長市場，這些都是存儲廠商細分市場的增長亮點。

三星、SK海力士、美光和西部數據在這些細分市場推出的新品，將要接受中國客戶和全球客戶的檢驗，2024年存儲市場有怎樣的增長，終端、服務器和數據中心市場將牽引存儲需求發生哪些變化，我們將繼續跟進報道。

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押注HBM3E和PCle5.0 SSD, 四家存儲芯片大廠旗艦新品匯總

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