沃爾弗斯普萊特與采埃孚合作投資的德國8英寸SiC晶圓廠計劃可能延期至2025年始動。

去年2月1日，沃爾弗斯普萊特公司及采埃孚公司達成戰略聯盟，共同設立創新實驗室，并運用碳化硅系統及設備技術推動出行、工業及能源三大領域的發展。此外，采埃孚承諾投入大量資源，以協助在恩斯多夫打造全球規模最大且最尖端的200毫米碳化硅晶圓生產基地。同年5月，二者決定在德國紐倫堡市區設立碳化硅電力電子歐亞研究所。

據悉，該座選址在薩爾州恩斯多夫的8英寸SiC晶圓廠計劃由沃爾弗斯普萊特負責籌備，耗資約27.5億歐元（約等于215億人民幣），同時得到德國聯邦政府以及薩爾州政府的共計4.1億歐元（約等于28億人民幣）資助。另據報道，沃爾弗斯普萊特正在爭取《歐盟芯片法》的資金援助。采埃孚將向其提供數億美元的財務贊助，交換該廠少數股權。

知情人士表示，沃爾弗斯普萊特期待在奠基儀式前能夠獲得更多資金，若未能成功申請到法案資金，工程可能推遲。根據公司CEO格雷格·洛伊透露，此前預訂的2024年夏動工時間現已調整為2025年。

有意思的是，近期，沃爾弗斯普萊特耗費50億美元（折合人民幣約361億元）在美國北卡羅來納州查塔姆縣建成了“約翰·帕爾默碳化硅制造中心”。這座工廠將主要用于生產200毫米的SiC晶圓，進一步增強材料供給能力以應對能源轉型及AI人工智能所面臨的新世代半導體需求。

該廠以已故聯合創始人約翰·帕爾默之名命名。其總投資額高達50億美元，獲得來自公私兩方的廣泛支持。據悉此舉有助于推動從硅轉向碳化硅的科技轉變，進而保障對能源轉型至關重要的材料供應。“約翰·帕爾默碳化硅制造中心”占地445英畝，第一階段工程預計將于2024年底完工。

當前，沃爾弗斯普萊特憑借北卡羅來納州達勒姆總部，占據全球SiC材料市場60%以上份額，正在推進投資65億美元來進一步擴大產能規劃。