ReRAM（Resistive Random Access Memory，電阻式隨機存取存儲器）作為一種先進的非易失性存儲技術，具有高密度、低功耗和快速讀寫等優點，近年來在多個市場領域展現出巨大的應用潛力和商業化價值。

ReRAM具有放置在電極之間的金屬氧化物的簡單結構，并且其制造工藝非常簡單。它通過施加脈沖電壓對金屬氧化物薄膜產生的電阻的巨大變化來記錄“ 1或0”數據。

在所有存儲器產品中ReRAM的讀取電流都最小，因此特別適合于助聽器等可穿戴設備。加賀富儀艾電子旗下代理品牌富士通半導體提供的12Mbit ReRAM MB85AS12MT是富士通ReRAM產品系列中密度最大的產品。

MB85AS12MT是一款非易失性存儲器，存儲器密度為12Mbit，可在1.6V至3.6V的寬電源電壓范圍內工作。這款ReRAM產品的存儲器密度是現有8Mbit ReRAM的1.5倍，同時保持相同的封裝尺寸WL-CSP（晶圓級芯片尺寸封裝），并具有相同的引腳分配。MB85AS12MT可以在約2mm x 3mm的小包裝中存儲約90頁報紙的字符數據。

與8引腳SOP相比，用于MB85AS12MT的WL-CSP可以節省約80%的安裝表面積，而8引腳SOP通常用于具有串行外設接口（SPI）的存儲設備。

安裝面積比較

與其他非易失性存儲器相比，MB85AS12MT產品具有極小的讀取電流水平。在5MHz的工作頻率下，平均讀取電流低至0.15mA，在10MHz工作時，最大讀取電流甚至為1.0mA。

因此，通過將MB85AS12MT安裝在具有頻繁數據讀取操作（例如特定程序讀取或設置數據讀取）的電池供電設備中，可以最大限度地減少電池消耗。所以，它非常適合用于電池供電的小型可穿戴設備，例如助聽器和智能手表。

利用上述特性，ReRAM產品可以解決在可穿戴設備開發中使用閃存或EEPROM產生的以下問題。

客戶的問題和解決方案

案例1

問題：8Mbit ReRAM 內存密度不足

解決方案：使用12Mbit ReRAM，引腳分配與8Mbit產品相同。

優勢：提高最終產品的性能

案例2

問題：由于安裝面積的限制，需要保持較小的包裝尺寸

解決方案：在非常小的封裝中使用12Mbit ReRAM。

優點：在提高性能的同時保持小尺寸

案例3

問題：傳統的非易失性存儲器難以降低功耗

解決方案：使用讀取電流非常小的ReRAM。

優點：延長最終產品的電池壽命（減少電池更換次數）

富士通半導體存儲器解決方案在繼續為需要頻繁重寫數據的客戶設備開發更高密度的FeRAM產品的同時，一直在開發新的非易失性存儲器，以滿足頻繁讀取數據的需求，因此推出了12Mbit ReRAM產品。

ReRAM憑借其獨特優勢已在物聯網、嵌入式系統、人工智能、數據中心、消費電子、工業控制和汽車電子等多個市場領域展現出廣泛應用前景，隨著技術成熟與成本下降，預計其市場滲透率將進一步提升，成為推動相關行業技術進步與創新的重要力量。富士通半導體也將持續開發各種低功耗存儲器產品，以滿足客戶的需求。

審核編輯：劉清