在全球?qū)Ω咝阅芎痛笮痛鎯υO(shè)備需求日益增長的背景下，三星電子公司宣布將于本月正式開啟其290層第九代垂直（V9）NAND芯片的批量生產(chǎn)。此舉不僅彰顯了三星在推動行業(yè)向高堆疊、高密度閃存技術(shù)轉(zhuǎn)型中的領(lǐng)軍地位，也進一步鞏固了其在全球存儲芯片市場的領(lǐng)導(dǎo)地位。

市場研究機構(gòu)Omdia的最新預(yù)測顯示，盡管NAND閃存市場在2023年經(jīng)歷了下滑，但預(yù)計今年將迎來強勁反彈，增長率高達38.1%。面對這一市場機遇，三星公司決心加大對NAND業(yè)務(wù)的投資，以搶占更多的市場份額。

作為NAND市場的長期領(lǐng)導(dǎo)者，三星自2002年以來一直保持著技術(shù)創(chuàng)新的步伐。其獨特的單堆棧技術(shù)，通過減少堆疊數(shù)量而實現(xiàn)更多的層數(shù)堆疊，使公司在行業(yè)中脫穎而出。相比之下，競爭對手如SK海力士和美光科技則采用了72層的雙堆棧技術(shù)。

然而，三星并未止步于此。公司高管透露，他們的長遠目標是到2030年開發(fā)出超過1000層的NAND芯片，以實現(xiàn)更高的存儲密度和性能。這一雄心勃勃的計劃無疑將為三星在全球存儲芯片市場贏得更廣泛的認可。

據(jù)此前報道，三星計劃于2024年投產(chǎn)300層以上的V-NAND芯片，有望在時間上領(lǐng)先競爭對手SK海力士一年。盡管目前三星最前沿的堆疊式NAND已達到236層，領(lǐng)先美光和長江存儲，但與SK海力士相比仍有兩層之差，但這并未影響三星在追求更高堆疊層數(shù)方面的決心。

值得注意的是，三星在追求技術(shù)突破的同時，也面臨著堆疊層數(shù)增加帶來的良率風險。然而，業(yè)界普遍認為，三星已經(jīng)找到了解決這一潛在問題的有效方案，有望在未來實現(xiàn)更高的良率和更穩(wěn)定的生產(chǎn)。

隨著本月晚些時候290層V9 NAND芯片的量產(chǎn)啟動，以及明年計劃推出的430層NAND芯片，三星電子正穩(wěn)步邁向其NAND技術(shù)發(fā)展的下一個里程碑。

審核編輯：黃飛