4月9日，世紀金芯宣布他們實現(xiàn)了8英寸SiC關鍵技術(shù)突破！

合肥世紀金芯半導體有限公司基于設備、工藝、熱場、原料、結(jié)構(gòu)設計等多方面的長期技術(shù)積累，突破了8英寸SiC關鍵技術(shù)，在晶體尺寸、厚度、缺陷控制、生長速率、制備成本、及裝備穩(wěn)定性等方面取得可喜成績。2024年2月，世紀金芯半導體8英寸SiC加工線正式貫通并進入小批量生產(chǎn)階段，在8英寸SiC襯底量產(chǎn)方向更進一步。

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模擬優(yōu)化，減少研究成本，獲得預期的溫場情況

世紀金芯公司采用模擬軟件，首先對坩堝、保溫層和加熱器等組成的熱場進行模擬計算，營造符合實際生長過程的溫度和溫度梯度。并通過多次優(yōu)化數(shù)據(jù)庫參數(shù)，準確反映出溫場及余料情況，生長晶體的4H-SiC晶型穩(wěn)定性在90%以上。同時，合理的溫度梯度降低了晶體的凸度，有效降低了晶體開裂風險，提高了原料利用率和晶體出片數(shù)量。

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設計實驗，驗證生長晶體預期，獲得可重復性參數(shù)

世紀金芯基于6英寸晶體研發(fā)生產(chǎn)經(jīng)驗，結(jié)合8英寸晶體生長的熱場結(jié)構(gòu)設計及工藝特性，在高穩(wěn)定性長晶爐的基礎上，公司采取了獨特的保溫設計和先進的熱場分區(qū)結(jié)構(gòu)，開發(fā)出適用于8英寸SiC穩(wěn)定生長的工藝技術(shù)，逐步減少生長溫度、時間、氣壓、功率等參數(shù)變化量，獲得可重復性穩(wěn)定參數(shù)，大幅提升了長晶的穩(wěn)定性、重現(xiàn)性。突破了大尺寸、低應力等碳化硅晶體制備關鍵技術(shù)。

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不斷開發(fā)新結(jié)構(gòu)、新技術(shù)，獲得低缺陷單晶

世紀金芯公司掌握多種自研結(jié)構(gòu)及技術(shù)，包括籽晶預處理粘接、低應力生長結(jié)構(gòu)設計及工藝等，為8英寸晶體量產(chǎn)打下了重要基礎。采用籽晶迭代優(yōu)化的方式，進一步降低了位錯缺陷密度，通過設計不同過濾層及多段溫度調(diào)控，對碳包裹物起到抑制作用，有效減少了包裹引起的一系列缺陷。

世紀金芯公司開發(fā)的8寸SiC單晶生長技術(shù)可重復生長出4H晶型100%、直徑大于200mm、厚度超過10mm的晶體。8寸加工線也同步建成，將配套8寸單晶生長。通過進一步優(yōu)化工藝，預期公司的8寸SiC晶錠厚度將達到20mm以上。

審核編輯：黃飛