SK海力士年內(nèi)推1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒
韓國媒體《NEWSIS》報道，SK海力士2024年第一季度財報電話會議中透露，將在年內(nèi)發(fā)布1bnm 32Gb DDR5內(nèi)存顆粒。
新款32Gb顆粒不僅支持消費級UDIMM和SODIMM 64GB單條容量，更能讓企業(yè)級RDIMM在無需硅通孔工藝3D堆疊的條件下，實現(xiàn)單模組128GB，滿足服務(wù)器對大內(nèi)存的需求。
SK海力士于2023年5月宣布成功研發(fā)出1bnm內(nèi)存，該制程采用HKMG技術(shù)，有助于降低漏電，提升電容性能并降低功耗。
據(jù)IT之家先前報道，三星電子與美光均已公開宣布推出32Gb DDR5內(nèi)存顆粒。其中，三星的32Gb DDR5 DRAM已于去年底開始量產(chǎn)，而美光的同類產(chǎn)品預(yù)計將于今年面世。
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來源：集成電路前沿，謝謝 編輯：感知芯視界 Link 3月25日消息，據(jù)報道，由于SK海力士部分工程出現(xiàn)問題，英偉達所需的12層HBM3E內(nèi)存，將由三星獨家供貨，SK
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